FQD2N100TM onsemi | FET, MOSFET simples

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Canal N 1000 V 1,6 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Montage en surface TO-252AA

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FQD2N100TM
Numéro de produit DigiKey	FQD2N100TMTR-ND - Bande et bobine FQD2N100TMCT-ND - Bande coupée (CT) FQD2N100TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQD2N100TM
Description	MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 1000 V 1,6 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	QFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	1000 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	9ohms à 800mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	15.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	520 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	FQD2N100

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