Name: NVMFS5113PLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS5113PLWFT1GTR-ND
Price: 3.11328 CHF
Availability: InStock

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NVMFS5113PLWFT1G
Numéro de produit DigiKey	488-NVMFS5113PLWFT1GTR-ND - Bande et bobine 488-NVMFS5113PLWFT1GCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NVMFS5113PLWFT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMFS5113PLWFT1G
Description	MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 10 A (Ta), 64 A (Tc) 3,8W (Ta), 150W (Tc) Montage en surface 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10 A (Ta), 64 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	14mohms à 17A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	83 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4400 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,8W (Ta), 150W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Boîtier	8-PowerTDFN, 5 sorties
Numéro de produit de base	NVMFS5