Name: NVMTSC1D3N08M7TXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMTSC1D3N08M7TXGTR-ND
Price: 5.84821 CHF
Availability: InStock

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NVMTSC1D3N08M7TXG
Numéro de produit DigiKey	488-NVMTSC1D3N08M7TXGTR-ND - Bande et bobine 488-NVMTSC1D3N08M7TXGCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NVMTSC1D3N08M7TXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMTSC1D3N08M7TXG
Description	MOSFET N-CH 80V 46A/348A 8DFNW
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 46A (Ta), 348A (Tc) 5,1W (Ta), 287W (Tc) Montage en surface 8-DFNW (8,3x8,4)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 196 nC @ 10 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 14530 pF @ 40 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 5,1W (Ta), 287W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 46A (Ta), 348A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier fournisseur 8-DFNW (8,3x8,4)
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,25mohms à 80A, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA	Numéro de produit de base NVMTSC1