
S1M1000170D | |
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Numéro de produit DigiKey | 1655-S1M1000170D-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | S1M1000170D |
Description | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1700V |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 12 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 1700 V 5,2 A (Tc) 81W (Tc) Trou traversant TO-247AD |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 1700 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 20V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 1,3ohms à 2A, 20V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4V à 500µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 10 nC @ 20 V | |
Vgs (max.) | +25V, -10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 160 pF @ 1000 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 81W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Trou traversant | |
Boîtier fournisseur | TO-247AD | |
Boîtier |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | Fr. 3.04000 | Fr. 3.04 |
10 | Fr. 1.99400 | Fr. 19.94 |
300 | Fr. 1.21220 | Fr. 363.66 |
600 | Fr. 1.11923 | Fr. 671.54 |
1’200 | Fr. 1.04108 | Fr. 1’249.30 |
2’100 | Fr. 1.01170 | Fr. 2’124.57 |
Prix unitaire sans TVA: | Fr. 3.04000 |
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Prix unitaire avec TVA: | Fr. 3.28624 |