TO-263-7
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TO-263-7
TO-263-7

S2M0080120J

Numéro de produit DigiKey
1655-S2M0080120J-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
S2M0080120J
Description
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
12 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 37A (Tj) 234W (Tc) Montage en surface TO-263-7
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
20V
Rds On (max.) à Id, Vgs
100mohms à 20A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 10mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
54 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+20V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1324 pF @ 1000 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
234W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263-7
Boîtier
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En stock: 203
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Tous les prix sont en CHF
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 7.24000Fr. 7.24
10Fr. 4.95800Fr. 49.58
100Fr. 3.66620Fr. 366.62
500Fr. 3.23020Fr. 1’615.10
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:Fr. 7.24000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 7.82644