


S2M0160120J | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 1655-S2M0160120J-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | S2M0160120J |
Description | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 12 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 1200 V 16 A (Tc) 122W (Tc) Montage en surface TO-263-7 |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 1200 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 20V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 196mohms à 10A, 20V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4V à 2,5mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 26.5 nC @ 20 V | |
Vgs (max.) | +20V, -5V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 513 pF @ 1000 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 122W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | TO-263-7 | |
Boîtier |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 5.08000 | Fr. 5.08 |
| 10 | Fr. 3.41500 | Fr. 34.15 |
| 100 | Fr. 2.46980 | Fr. 246.98 |
| 500 | Fr. 2.06688 | Fr. 1’033.44 |
| 1’000 | Fr. 2.01940 | Fr. 2’019.40 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 5.08000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 5.49148 |






