Name: S3M0016120N
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S3M0016120N-ND
Price: 28.98161 CHF
Availability: InStock

Nouveau produit

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S3M0016120N
Numéro de produit DigiKey	1655-S3M0016120N-ND
Fabricant	SMC Diode Solutions
Numéro de produit du fabricant	S3M0016120N
Description	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 120 A (Tc) 732W (Tc) Montage sur châssis SOT-227
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	SMC Diode Solutions
Série	-
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	23mohms à 75A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 30mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	287 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+22V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5251 pF @ 1000 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	732W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier fournisseur	SOT-227
Boîtier	SOT-227-4, miniBLOC