SCTH90N65G2V-7 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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STMicroelectronics
En stock: 848
Prix unitaire : Fr. 12.28000
Fiche technique

Recommandation fabricant


STMicroelectronics
En stock: 997
Prix unitaire : Fr. 8.88000
Fiche technique
Canal N 650 V 90 A (Tc) 330W (Tc) Montage en surface H2PAK-7
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SCTH90N65G2V-7

Numéro de produit DigiKey
497-18352-2-ND - Bande et bobine
497-18352-1-ND - Bande coupée (CT)
497-18352-6-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SCTH90N65G2V-7
Description
SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 90 A (Tc) 330W (Tc) Montage en surface H2PAK-7
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SCTH90N65G2V-7 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Rds On (max.) à Id, Vgs
26mohms à 50A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
157 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3300 pF @ 400 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
330W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
H2PAK-7
Boîtier
Numéro de produit de base
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Obsolète
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