
STW26N60M2 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | STW26N60M2-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | STW26N60M2 |
Description | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 20 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 20 A (Tc) 169W (Tc) Trou traversant TO-247-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | STW26N60M2 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 34 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±25V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1360 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 169W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur TO-247-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 165mohms à 10A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| R6022YNZ4C13 | Rohm Semiconductor | 587 | 846-R6022YNZ4C13-ND | Fr. 5.82000 | Similaire |
| SCT3120ALGC11 | Rohm Semiconductor | 232 | SCT3120ALGC11-ND | Fr. 8.30000 | Similaire |
| SIHG24N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 378 | 742-SIHG24N65E-GE3-ND | Fr. 5.65000 | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.44000 | Fr. 3.44 |
| 10 | Fr. 2.26600 | Fr. 22.66 |
| 100 | Fr. 1.59600 | Fr. 159.60 |
| 600 | Fr. 1.28425 | Fr. 770.55 |
| 1’200 | Fr. 1.19650 | Fr. 1’435.80 |
| 2’400 | Fr. 1.12275 | Fr. 2’694.60 |
| 5’400 | Fr. 1.10297 | Fr. 5’956.04 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 3.44000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 3.71864 |

