Name: CSD19536KTTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-41136-2-ND
Price: 6.61572 CHF
Availability: InStock

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CSD19536KTTT
Numéro de produit DigiKey	296-41136-2-ND - Bande et bobine 296-41136-1-ND - Bande coupée (CT) 296-41136-6-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Texas Instruments
Numéro de produit du fabricant	CSD19536KTTT
Description	MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 200 A (Ta) 375W (Tc) Montage en surface TO-263 (DDPAK-3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	CSD19536KTTT Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,2V à 250µA
Fabricant Texas Instruments	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 153 nC @ 10 V
Série NexFET™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 12000 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 375W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-263 (DDPAK-3)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 200 A (Ta)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base CSD19536
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,4mohms à 100A, 10V