TPCC8006-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage | Produits semi-conducteurs discrets

TPCC8006-H(TE12LQM est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

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TPCC8006-H(TE12LQM
Numéro de produit DigiKey	TPCC8006-H(TE12LQMTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPCC8006-H(TE12LQM
Description	MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 22 A (Ta) 700mW (Ta), 27W (Tc) Montage en surface 8-TSON Advance (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVI-H
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	22 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	8mohms à 11A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,3V à 200µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	27 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2200 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	700mW (Ta), 27W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-TSON Advance (3,3x3,3)
Boîtier	8-VDFN plot exposé
Numéro de produit de base	TPCC8006