US1AHE3/5AT est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Direct


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.10533
Fiche technique

Mise à niveau


onsemi
En stock: 3’873
Prix unitaire : Fr. 0.72000
Fiche technique

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Comchip Technology
En stock: 15’912
Prix unitaire : Fr. 0.26000
Fiche technique

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Comchip Technology
En stock: 9’980
Prix unitaire : Fr. 0.49000
Fiche technique

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Comchip Technology
En stock: 10’000
Prix unitaire : Fr. 0.49000
Fiche technique

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Comchip Technology
En stock: 8’043
Prix unitaire : Fr. 0.49000
Fiche technique

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onsemi
En stock: 45’615
Prix unitaire : Fr. 0.51000
Fiche technique

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onsemi
En stock: 120’410
Prix unitaire : Fr. 0.29000
Fiche technique

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Diodes Incorporated
En stock: 93’828
Prix unitaire : Fr. 0.19000
Fiche technique

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Diodes Incorporated
En stock: 1’897
Prix unitaire : Fr. 0.38000
Fiche technique

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Diodes Incorporated
En stock: 141’165
Prix unitaire : Fr. 0.38000
Fiche technique

Similaire


Diodes Incorporated
En stock: 62’199
Prix unitaire : Fr. 0.41000
Fiche technique

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Diodes Incorporated
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.38000
Fiche technique

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Diodes Incorporated
En stock: 10’018
Prix unitaire : Fr. 0.32000
Fiche technique
Diode 50 V 1A Montage en surface DO-214AC (SMA)
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

US1AHE3/5AT

Numéro de produit DigiKey
US1AHE3/5AT-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
US1AHE3/5AT
Description
DIODE STANDARD 50V 1A DO214AC
Référence client
Description détaillée
Diode 50 V 1A Montage en surface DO-214AC (SMA)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Temps de recouvrement inverse (trr)
50 ns
Fabricant
Courant - Fuite inverse à Vr
10 µA @ 50 V
Conditionnement
Bande et bobine
Capacité à Vr, F
15pF à 4V, 1MHz
Statut du composant
Obsolète
Type de montage
Technologies
Boîtier
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
50 V
Boîtier fournisseur
DO-214AC (SMA)
Courant - Moyen redressé (Io)
1A
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 150°C
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1 V @ 1 A
Numéro de produit de base
Vitesse
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (16)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
US1AHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes Division0US1AHE3_A/I-NDFr. 0.10533Direct
EGF1Aonsemi3’873EGF1ACT-NDFr. 0.72000Mise à niveau
CGRA4001-GComchip Technology15’912641-1016-1-NDFr. 0.26000Similaire
CURA103-GComchip Technology9’980641-1186-1-NDFr. 0.49000Similaire
CURA104-GComchip Technology10’000641-1187-1-NDFr. 0.49000Similaire
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution ou Types de conditionnement alternatifs.