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IRF840ALPBF
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IRF610LPBF

Numéro de produit DigiKey
IRF610LPBF-ND
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
IRF610LPBF
Description
MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
15 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 200 V 3,3 A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Trou traversant I2PAK
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
3,3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,5ohms à 2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
140 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta), 36W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
I2PAK
Boîtier
TO-262-3 broches longues, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
IRF610
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
1’000Fr. 0.63865Fr. 638.65
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:Fr. 0.63865
Prix unitaire avec TVA:Fr. 0.69038