Name: IRF840ASTRLPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF840ASTRLPBFTR-ND
Price: 3.54568 CHF
Availability: OutOfStock

IRF840ASTRLPBF est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.

Substituts disponibles:

Similaire

onsemi

En stock: 0

Prix unitaire : Fr. 0.00000

Similaire

IXYS

En stock: 0

Prix unitaire : Fr. 1.29140

Similaire

STMicroelectronics

En stock: 366

Prix unitaire : Fr. 3.36000

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRF840ASTRLPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF840ASTRLPBFTR-ND - Bande et bobine IRF840ASTRLPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF840ASTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	IRF840ASTRLPBF
Description	MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 500 V 8 A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	850mohms à 4,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1018 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,1W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	IRF840