
SI2325DS-T1-E3 | |
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Numéro de produit DigiKey   | SI2325DS-T1-E3TR-ND - Bande et bobine SI2325DS-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT) SI2325DS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®  | 
Fabricant   | |
Numéro de produit du fabricant   | SI2325DS-T1-E3  | 
Description  | MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3  | 
Délai d'approvisionnement standard du fabricant   | 20 semaines  | 
Référence client   | |
Description détaillée  | Canal P 150 V 530mA (Ta) 750mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)  | 
Fiche technique  | Fiche technique | 
Modèles EDA/CAO  | SI2325DS-T1-E3 Modèles | 
Type   | Description  | Tout sélectionner  | 
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Catégorie  | ||
Fabricant  | ||
Série  | ||
Conditionnement  | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®  | |
Statut du composant  | Actif  | |
Type de FET  | ||
Technologies  | ||
Tension drain-source (Vdss)  | 150 V  | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C  | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)  | 6V, 10V  | |
Rds On (max.) à Id, Vgs  | 1,2ohms à 500mA, 10V  | |
Vgs(th) (max.) à Id  | 4,5V à 250µA  | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs  | 12 nC @ 10 V  | |
Vgs (max.)  | ±20V  | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds  | 510 pF @ 25 V  | |
Fonction FET  | -  | |
Dissipation de puissance (max.)  | 750mW (Ta)  | |
Température de fonctionnement  | -55°C ~ 150°C (TJ)  | |
Grade  | -  | |
Qualification  | -  | |
Type de montage  | Montage en surface  | |
Boîtier fournisseur  | SOT-23-3 (TO-236)  | |
Boîtier  | ||
Numéro de produit de base  | 
| Quantité | Prix unitaire | Prix total | 
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.12000 | Fr. 1.12 | 
| 10 | Fr. 0.58700 | Fr. 5.87 | 
| 100 | Fr. 0.48220 | Fr. 48.22 | 
| 500 | Fr. 0.40438 | Fr. 202.19 | 
| 1’000 | Fr. 0.36624 | Fr. 366.24 | 
| Quantité | Prix unitaire | Prix total | 
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.32172 | Fr. 965.16 | 
| 6’000 | Fr. 0.30058 | Fr. 1’803.48 | 
| 9’000 | Fr. 0.29000 | Fr. 2’610.00 | 
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.12000 | 
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 1.21072 | 








