
SI7852DP-T1-E3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI7852DP-T1-E3TR-ND - Bande et bobine SI7852DP-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT) SI7852DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI7852DP-T1-E3 |
Description | MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 38 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 80 V 7,6 A (Ta) 1,9W (Ta) Montage en surface PowerPAK® SO-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI7852DP-T1-E3 Modèles |
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 16,5mohms à 10A, 10V |
Fabricant | Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA (min) |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 41 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 1,9W (Ta) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 80 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| RS1G300GNTB | Rohm Semiconductor | 16’101 | RS1G300GNTBCT-ND | Fr. 2.37000 | Similaire |
| RS1L120GNTB | Rohm Semiconductor | 6 | RS1L120GNTBCT-ND | Fr. 1.93000 | Similaire |
| RS3L045GNGZETB | Rohm Semiconductor | 833 | RS3L045GNGZETBCT-ND | Fr. 0.97000 | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.28000 | Fr. 3.28 |
| 10 | Fr. 2.15300 | Fr. 21.53 |
| 100 | Fr. 1.51180 | Fr. 151.18 |
| 500 | Fr. 1.26338 | Fr. 631.69 |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 1.03869 | Fr. 3’116.07 |
| 6’000 | Fr. 1.03218 | Fr. 6’193.08 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 3.28000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 3.54568 |




