SIZ704DT-T1-GE3 Vishay Siliconix | Produits semi-conducteurs discrets

SIZ704DT-T1-GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Vishay Siliconix

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Prix unitaire : Fr. 0.36851

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SIZ704DT-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIZ704DT-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIZ704DT-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIZ704DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIZ704DT-T1-GE3
Description	MOSFET 2N-CH 30V 12A 6POWERPAIR
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 12A, 16A 20W, 30W Montage en surface 6-PowerPair™
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	12A, 16A
Rds On (max.) à Id, Vgs	24mohms à 7,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	12nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	435pF à 15V
Puissance - Max.	20W, 30W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	6-PowerPair™
Boîtier fournisseur	6-PowerPair™
Numéro de produit de base	SIZ704