SIZF4800LDT-T1-GE3
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SIZF4800LDT-T1-GE3

Numéro de produit DigiKey
742-SIZF4800LDT-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine
742-SIZF4800LDT-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT)
742-SIZF4800LDT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SIZF4800LDT-T1-GE3
Description
MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
24 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 80V 10 A (Ta), 36 A (Tc) 4,5W (Ta), 56,8W (Tc) Montage en surface PowerPAIR® 3x3FS
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SIZF4800LDT-T1-GE3 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
TrenchFET®
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
80V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
10 A (Ta), 36 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
19mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
23nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
950pF à 40V
Puissance - Max.
4,5W (Ta), 56,8W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
12-PowerPair™
Boîtier fournisseur
PowerPAIR® 3x3FS
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En stock: 5’417
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 1.76000Fr. 1.76
10Fr. 1.19100Fr. 11.91
100Fr. 0.81890Fr. 81.89
500Fr. 0.65494Fr. 327.47
1’000Fr. 0.63832Fr. 638.32
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de Fr. 7.00.
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3’000Fr. 0.52150Fr. 1’564.50
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:Fr. 1.76000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 1.90256
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