10 Power-WHITFN-10-1
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10 Power-WHITFN-10-1
10 Power-WHITFN-10-1

ISG0616N10NM5HSCATMA1

Numéro de produit DigiKey
448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND - Bande et bobine
448-ISG0616N10NM5HSCATMA1CT-ND - Bande coupée (CT)
448-ISG0616N10NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
ISG0616N10NM5HSCATMA1
Description
MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
18 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montage en surface PG-WHITFN-10-1
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
19A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
4mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,8V à 85µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
78nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
4800pF à 50V
Puissance - Max.
3W (Ta), 167W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
10-PowerWDFN
Boîtier fournisseur
PG-WHITFN-10-1
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En stock: 928
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Tous les prix sont en CHF
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 4.52000Fr. 4.52
10Fr. 3.01800Fr. 30.18
100Fr. 2.16630Fr. 216.63
500Fr. 2.11140Fr. 1’055.70
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de Fr. 7.00.
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3’000Fr. 1.72500Fr. 5’175.00
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:Fr. 4.52000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 4.88612