Name: ISG0616N10NM5HSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND
Price: 5.04827 CHF
Availability: OutOfStock

MOSFET - Matrices 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montage en surface PG-WHITFN-10-1

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ISG0616N10NM5HSCATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	ISG0616N10NM5HSCATMA1
Description	MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	48 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montage en surface PG-WHITFN-10-1
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 4mohms à 50A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 85µA
Série OptiMOS™ 5	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 78nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4800pF à 50V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 3W (Ta), 167W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (demi-pont)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100V	Boîtier 10-PowerWDFN
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 19A (Ta), 139A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-WHITFN-10-1