


ISG0616N10NM5HSCATMA1 | |
---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | Infineon Technologies |
Numéro de produit du fabricant | ISG0616N10NM5HSCATMA1 |
Description | MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 18 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montage en surface PG-WHITFN-10-1 |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Infineon Technologies | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (demi-pont) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 100V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 19A (Ta), 139A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 4mohms à 50A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3,8V à 85µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 78nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 4800pF à 50V | |
Puissance - Max. | 3W (Ta), 167W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 10-PowerWDFN | |
Boîtier fournisseur | PG-WHITFN-10-1 |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
---|---|---|
1 | Fr. 4.52000 | Fr. 4.52 |
10 | Fr. 3.01800 | Fr. 30.18 |
100 | Fr. 2.16630 | Fr. 216.63 |
500 | Fr. 2.11140 | Fr. 1’055.70 |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
---|---|---|
3’000 | Fr. 1.72500 | Fr. 5’175.00 |
Prix unitaire sans TVA: | Fr. 4.52000 |
---|---|
Prix unitaire avec TVA: | Fr. 4.88612 |