Name: SUP90100E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SUP90100E-GE3-ND
Price: 4.12942 CHF
Availability: InStock

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SUP90100E-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SUP90100E-GE3-ND
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SUP90100E-GE3
Description	N-CHANNEL 200 V (D-S) MOSFET TO-
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	42 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 150 A (Tc) 375W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 10,9mohms à 16A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 110 nC @ 10 V
Conditionnement En vrac	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3930 pF @ 100 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 375W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 200 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 150 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-220AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7,5V, 10V	Boîtier TO-220-3

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