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XP4509AGM est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:
Recommandation fabricant
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
XP4509AGM | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 5048-XP4509AGMTR-ND - Bande et bobine 5048-XP4509AGMCT-ND - Bande coupée (CT) 5048-XP4509AGMDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | XP4509AGM |
Description | MOSFET N/P-CH 30V 11.2A 8SO |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 11,2A (Ta), 8A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface 8-SO |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | YAGEO XSEMI | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Obsolète | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | Canaux N et P | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 11,2A (Ta), 8A (Ta) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 10mohms à 10A, 10V, 21mohms à 7A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 19,2nC à 4,5V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1140pF à 25V, 2000pF à 25V | |
Puissance - Max. | 2W (Ta) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) | |
Boîtier fournisseur | 8-SO |
Obsolète
Suisse