Modules IGBT

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type d'IGBT
Configuration
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
Puissance - Max.
Vce(on) (max.) à Vge, Ic
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
Capacité d'entrée (Cies) à Vce
Entrée
Thermistance CTN
Température de fonctionnement
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
334
En stock
1 : Fr. 37.59000
Tube
Tube
Actif
À tranchées à champ limité
Simple
1200 V
281 A
1087 W
2,05V à 15V, 100A
100 µA
9.35 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
SOT-227-4, miniBLOC
SOT-227
FP25R12KE3BPSA1
FP25R12KE3BPSA1
IGBT MOD 1200V 40A AG-ECONO2-8
Infineon Technologies
165
En stock
1 : Fr. 55.50000
Plateau
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Inverseur triphasé
1200 V
40 A
155 W
2,15V à 15V, 25A
1 mA
1.8 nF @ 25 V
Pont redresseur triphasé
Oui
-40°C ~ 125°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
AG-ECONO2-8
IGBT MODULE C SERIES
FF200R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 240A 1100W MOD
Infineon Technologies
93
En stock
1 : Fr. 68.59000
Plateau
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Demi- pont
1200 V
240 A
1100 W
2,15V à 15V, 200A
5 mA
14 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
Module
FZ600R17KE3
FZ400R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 400A 2400W MOD
Infineon Technologies
166
En stock
1 : Fr. 79.31000
Plateau
-
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Simple
1200 V
400 A
2400 W
2,1V à 15V, 400A
5 mA
28 nF @ 25 V
Standard
Oui
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
Module
FF300R12KE4HOSA1
FF300R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 460A 1600W MOD
Infineon Technologies
292
En stock
1 : Fr. 85.40000
Plateau
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
2 indépendantes
1200 V
460 A
1600 W
2,15V à 15V, 300A
5 mA
19 nF @ 25 V
Standard
Oui
-40°C ~ 150°C
Montage sur châssis
Module
Module
FZ600R12KE4HOSA1
FZ600R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 600A 3000W MOD
Infineon Technologies
209
En stock
1 : Fr. 88.15000
Plateau
Plateau
Actif
-
Simple
1200 V
600 A
3000 W
2,1V à 15V, 600A
5 mA
1.7 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 125°C
Montage sur châssis
Module
Module
IGBT MODULE C SERIES
FF450R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 520A 2400W MOD
Infineon Technologies
65
En stock
1 : Fr. 102.79000
Plateau
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Demi- pont
1200 V
520 A
2400 W
2,15V à 15V, 450A
5 mA
28 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
Module
IGBT MODULE C SERIES
FF450R12KT4HOSA1
IGBT MOD 1200V 450A 2400W MOD
Infineon Technologies
610
En stock
1 : Fr. 103.86000
Plateau
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Demi- pont
1200 V
450 A
2400 W
2,15V à 15V, 450A
5 mA
28 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
Module
FZ600R17KE4HOSA1
FZ600R17KE4HOSA1
IGBT MOD 1700V 1200A 3350W MOD
Infineon Technologies
178
En stock
1 : Fr. 104.40000
Plateau
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Simple
1700 V
1200 A
3350 W
2,3V à 15V, 600A
1 mA
49 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 150°C
Montage sur châssis
Module
Module
FZ900R12KE4
FZ900R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 900A 4300W MOD
Infineon Technologies
433
En stock
1 : Fr. 104.99000
Plateau
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Simple
1200 V
900 A
4300 W
2,1V à 15V, 900A
5 mA
56 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
Module
MFG_FS300R12KE3BOSA1
FS300R12KE3BOSA1
IGBT MOD 1200V 500A 1450W MOD
Infineon Technologies
47
En stock
1 : Fr. 310.67000
Plateau
-
Plateau
Pas pour les nouvelles conceptions
À tranchées à champ limité
Inverseur triphasé
1200 V
500 A
1450 W
2,15V à 15V, 300A
5 mA
21 nF @ 25 V
Standard
Oui
-40°C ~ 125°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
Module
FS MODULE
FS450R12KE3BOSA1
IGBT MOD 1200V 600A 2100W MOD
Infineon Technologies
68
En stock
1 : Fr. 414.23000
Plateau
-
Plateau
Pas pour les nouvelles conceptions
À tranchées à champ limité
Inverseur triphasé
1200 V
600 A
2100 W
2,15V à 15V, 450A
5 mA
32 nF @ 25 V
Standard
Oui
-40°C ~ 125°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
Module
APT2X60D60J
APT60GA60JD60
IGBT MOD 600V 112A 356W ISOTOP
Microchip Technology
1’202
En stock
1 : Fr. 23.35000
Tube
Tube
Actif
PT
Simple
600 V
112 A
356 W
2,5V à 15V, 62A
275 µA
8.01 nF @ 25 V
Standard
Non
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
SOT-227-4, miniBLOC
ISOTOP®
IXYK1x0xNxxxx
IXXN110N65C4H1
IGBT MOD 650V 210A 750W SOT-227B
IXYS
343
En stock
1 : Fr. 23.78000
Tube
Tube
Actif
PT
Simple
650 V
210 A
750 W
2,35V à 15V, 110A
50 µA
3.69 nF @ 25 V
Standard
Non
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage sur châssis
SOT-227-4, miniBLOC
SOT-227B
IXYK1x0xNxxxx
IXYN100N65C3H1
IGBT MOD 650V 166A 600W SOT-227B
IXYS
220
En stock
1 : Fr. 24.20000
Tube
Tube
Actif
PT
Simple
650 V
166 A
600 W
2,3V à 15V, 70A
50 µA
4.98 nF @ 25 V
Standard
Non
-55°C ~ 175°C (TJ)
Châssis, montage sur goujon
SOT-227-4, miniBLOC
SOT-227B
IXYK1x0xNxxxx
IXGN72N60C3H1
IGBT MOD 600V 78A 360W SOT-227B
IXYS
214
En stock
1 : Fr. 24.38000
Tube
Tube
Actif
PT
Simple
600 V
78 A
360 W
2,5V à 15V, 50A
250 µA
4.78 nF @ 25 V
Standard
Non
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
SOT-227-4, miniBLOC
SOT-227B
IXYK1x0xNxxxx
IXYN82N120C3H1
IGBT MODULE 1200V 105A SOT-227B
IXYS
344
En stock
1 : Fr. 25.68000
Tube
Tube
Actif
-
Simple
1200 V
105 A
500 W
3,2V à 15V, 82A
50 µA
4.06 nF @ 25 V
Standard
Non
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
SOT-227-4, miniBLOC
SOT-227B
IXYN110N120C4
IXYN110N120C4
IGBT MOD 1200V 220A 830W SOT-227
IXYS
154
En stock
1 : Fr. 26.84000
Tube
Tube
Actif
-
Simple
1200 V
220 A
830 W
2,4V à 15V, 110A
50 µA
5.42 nF @ 25 V
Standard
Non
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage sur châssis
SOT-227-4, miniBLOC
SOT-227
IXYK1x0xNxxxx
IXYN100N120C3H1
IGBT MODULE 1200V 134A SOT-227B
IXYS
1’082
En stock
1 : Fr. 30.81000
Tube
Tube
Actif
-
Simple
1200 V
134 A
690 W
3,5V à 15V, 100A
50 µA
6 nF @ 25 V
Standard
Non
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
SOT-227-4, miniBLOC
SOT-227B
IXYK1x0xNxxxx
IXGN320N60A3
IGBT MOD 600V 320A 735W SOT-227B
IXYS
1’379
En stock
1 : Fr. 35.21000
Tube
Tube
Actif
PT
Simple
600 V
320 A
735 W
1,25V à 15V, 100A
150 µA
18 nF @ 25 V
Standard
Non
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
SOT-227-4, miniBLOC
SOT-227B
APT2X60D60J
APT75GP120JDQ3
IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP
Microchip Technology
531
En stock
1 : Fr. 37.07000
Tube
Tube
Actif
PT
Simple
1200 V
128 A
543 W
3,9V à 15V, 75A
1.25 mA
7.04 nF @ 25 V
Standard
Non
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
ISOTOP
ISOTOP®
EasyPIM 2B
FS75R12W2T7B11BOMA1
IGBT MODULE 1200V 65A MODULE
Infineon Technologies
150
En stock
1 : Fr. 39.28000
Plateau
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
pont complet
1200 V
65 A
-
1,55V à 15V, 75A (typ.)
13 µA
15.1 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 175°C
Montage sur châssis
Module
Module
EasyPIM 2B
FP50R12W2T7B11BOMA1
IGBT MOD 1200V 50A AG-EASY2B-2
Infineon Technologies
48
En stock
1 : Fr. 39.78000
Plateau
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Inverseur triphasé
1200 V
50 A
-
1,5V à 15V, 50A
8 µA
11.1 nF @ 25 V
Pont redresseur triphasé
Oui
-40°C ~ 175°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
AG-EASY2B-2
FP50R12W2T7BPSA1
FP50R12W2T7BPSA1
IGBT MODULE 1200V 50A AG-EASY2B
Infineon Technologies
28
En stock
1 : Fr. 39.78000
Plateau
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Inverseur triphasé
1200 V
50 A
-
-
8 µA
11.1 nF @ 25 V
Pont redresseur triphasé
Oui
-40°C ~ 175°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
AG-EASY2B
FP35R12W2T4_B11
FP35R12W2T4B11BOMA1
IGBT MOD 1200V 54A 215W MOD
Infineon Technologies
57
En stock
1 : Fr. 41.85000
Plateau
-
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Inverseur triphasé
1200 V
54 A
215 W
2,25V à 15V, 35A
1 mA
2 nF @ 25 V
Standard
Oui
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
Module
Affichage de
sur 2’593

Modules IGBT

Les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) sont des dispositifs de puissance à semi-conducteurs à trois bornes principalement utilisés en tant que commutateurs électroniques qui combinent un haut rendement et une commutation rapide. En tant que modules, les IGBT sont configurés en ponts asymétriques, dispositifs de découpage élévateurs, abaisseurs et de freinage, pont complet, onduleurs triphasés et à trois niveaux. Certains présentent des thermistances CTN intégrées pour la surveillance de la température. Les modules IGBT se caractérisent par la puissance maximum, le courant collecteur, la tension de claquage de collecteur-émetteur et la configuration.