Matrices de FET, MOSFET

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Technologies	Configuration	Fonction FET	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Puissance - Max.	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier	Boîtier fournisseur
SSM6N7002KFU,LF MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	251’120 En stock	1 : Fr. 0.17000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.03272 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	60V	300mA	1,5ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0,6nC à 4,5V	40pF à 10V	285mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
NTJD5121NT1G MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 onsemi	100’601 En stock	1 : Fr. 0.22000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.04627 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	295mA	1,6ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0,9nC à 4,5V	26pF à 20V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Infineon Technologies	69’531 En stock	1 : Fr. 0.25000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.03526 Bande et bobine	OptiMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	300mA	3ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0,6nC à 10V	20pF à 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
2N7002DW-7-F MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Diodes Incorporated	20’614 En stock	1 : Fr. 0.25000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.04963 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	60V	230mA	7,5ohms à 50mA, 5V	2V à 250µA	-	50pF à 25V	310mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
SSM6N37FU,LF MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	108’546 En stock	1 : Fr. 0.26000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.05399 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 1,5V	20V	250mA (Ta)	2,2ohms à 100mA, 4,5V	1V à 1mA	-	12pF à 10V	300mW	150°C	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
DMC2700UDM-7 MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26 Diodes Incorporated	1’066’291 En stock 4’440’000 Usine	1 : Fr. 0.28000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.05092 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	20V	1,34 A, 1,14 A	400mohms à 600mA, 4,5V	1V à 250µA	0,74nC à 4,5V	60,67pF à 16V	1,12W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-6	SOT-26
DMC2400UV-7 MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Diodes Incorporated	47’911 En stock	1 : Fr. 0.28000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.05721 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	20V	1,03A, 700 mA	480mohms à 200mA, 5V	900mV à 250µA	0,5nC à 4,5V	37,1pF à 10V	450mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-563
2N7002DW MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 onsemi	43’854 En stock	1 : Fr. 0.28000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.07018 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	115mA	7,5ohms à 50mA, 5V	2V à 250µA	-	50pF à 25V	200mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88 (SC-70-6)
BSD840NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Infineon Technologies	42’125 En stock	1 : Fr. 0.30000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.06365 Bande et bobine	OptiMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	880mA	400mohms à 880mA, 2,5V	750mV à 1,6µA	0,26nC à 2,5V	78pF à 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	656’319 En stock	1 : Fr. 0.32000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.05913 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 1,2V	50V	200mA	2,2ohms à 200mA, 4,5V	1V à 1mA	-	25pF à 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
PMDXB600UNEZ MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN Nexperia USA Inc.	4’678 En stock	1 : Fr. 0.38000 Bande coupée (CT) 1 : Fr. 0.32000 Bande coupée (CT) 5’000 : Fr. 0.06059 Bande et bobine	TrenchFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Bande coupée (CT) Digi-Reel® Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	600mA	620mohms à 600mA, 4,5V	950mV à 250µA	0,7nC à 4,5V	21,3pF à 10V	265mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-XFDFN plot exposé	DFN1010B-6
SI3932DV-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6TSOP Vishay Siliconix	29’290 En stock	1 : Fr. 0.33000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.16075 Bande et bobine	TrenchFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	30V	3,7A	58mohms à 3,4A, 10V	2,2V à 250µA	6nC à 10V	235pF à 15V	1,4W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6	6-TSOP
UM6K34NTCN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	14’002 En stock	1 : Fr. 0.33000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.07079 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 0,9V	50V	200mA	2,2ohms à 200mA, 4,5V	800mV à 1mA	-	26pF à 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
EM6K34T2CR MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 Rohm Semiconductor	11’159 En stock	1 : Fr. 0.33000 Bande coupée (CT) 8’000 : Fr. 0.05902 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 0,9V	50V	200mA	2,2ohms à 200mA, 4,5V	800mV à 1mA	-	26pF à 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	EMT6
DMG6602SVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Diodes Incorporated	2’759 En stock	1 : Fr. 0.33000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.06142 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique, attaque 4,5V	30V	3,4 A, 2,8 A	60mohms à 3,1 A, 10V	2,3V à 250µA	13nC à 10V	400pF à 15V	840mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6	TSOT-26
NVTJD4001NT1G MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 onsemi	90’186 En stock	1 : Fr. 0.34000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.06446 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	30V	250mA	1,5ohms à 10mA, 4V	1,5V à 100µA	1,3nC à 5V	33pF à 5V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
SIL2308-TP MOSFET N/P-CH 20V 5A/4A SOT23-6L MCC (Micro Commercial Components)	34’180 En stock	1 : Fr. 0.34000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.07392 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	-	20V	5A, 4A	38mohms à 4,5A, 4,5V, 90mohms à 500mA, 4,5V	1V à 250µA	11nC à 4,5V, 12nC à 2,5V	800pF, 405pF à 8V, 10V	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-6	SOT-23-6L
NTJD1155LT1G MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88 onsemi	22’521 En stock	1 : Fr. 0.34000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.07178 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	-	8V	1,3A	175mohms à 1,2A, 4,5V	1V à 250µA	-	-	400mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
DMG6601LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26 Diodes Incorporated	13’981 En stock	1 : Fr. 0.34000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.06899 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	30V	3,8 A, 2,5 A	55mohms à 3,4A, 10V	1,5V à 250µA	12,3nC à 10V	422pF à 15V	850mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6	TSOT-26
NTJD4001NT1G MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 onsemi	81’617 En stock	1 : Fr. 0.34000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.07422 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	30V	250mA	1,5ohms à 10mA, 4V	1,5V à 100µA	1,3nC à 5V	33pF à 5V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
SI1034CX-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89 Vishay Siliconix	35’211 En stock	1 : Fr. 0.34000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.07752 Bande et bobine	TrenchFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	610mA (Ta)	396mohms à 500mA, 4,5V	1V à 250µA	2nC à 8V	43pF à 10V	220mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SC-89 (SOT-563F)
NTJD4152PT1G MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88 onsemi	31’717 En stock	1 : Fr. 0.35000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.07403 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux P (double)	Porte de niveau logique	20V	880mA	260mohms à 880mA, 4,5V	1,2V à 250µA	2,2nC à 4,5V	155pF à 20V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
NTZD3154NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	216’655 En stock	1 : Fr. 0.37000 Bande coupée (CT) 4’000 : Fr. 0.06538 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	20V	540mA	550mohms à 540mA, 4,5V	1V à 250µA	2,5nC à 4,5V	150pF à 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-563
NTJD4401NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 onsemi	17’353 En stock	1 : Fr. 0.37000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.08063 Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	630mA	375mohms à 630mA, 4,5V	1,5V à 250µA	3nC à 4,5V	46pF à 20V	270mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
2N7002BKS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	6’238 En stock	1 : Fr. 0.37000 Bande coupée (CT) 3’000 : Fr. 0.07766 Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	300mA (Ta)	1,6ohms à 500mA, 10V	2,1V à 250µA	0,6nC à 4,5V	50pF à 10V	295mW	150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP

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Les transistors à effet de champ (FET) sont des dispositifs électroniques utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant. L'application d'une tension à la borne de grille modifie la conductivité entre les bornes de drain et de source. Les FET sont également appelés transistors unipolaires puisque leur fonctionnement inclut un seul type de porteur. Autrement dit, les FET utilisent des électrons ou des trous comme porteurs de charge dans leur fonctionnement, mais pas les deux. Les transistors à effet de champ affichent généralement une très haute impédance d'entrée à basses fréquences.

Matrices de FET, MOSFET

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