VideoLibrary

Harness the Power of eGaN® FETs and ICs for Motor Drives

Watch the on-demand webinar to learn how to harness the power of enhancement-mode gallium nitride (eGaN) FETs and ICs for motor drives.

12/10/2020 2:13:08 PM

FETs-MOSFETs - Arrays

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIEEPC2106MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE7230 - Immédiatement$2.13Afficher les détails
MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIEEPC2110MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE12085 - Immédiatement$2.56Afficher les détails
MOSFET 3N-CH 100V 9BGAEPC2107MOSFET 3N-CH 100V 9BGA5002 - Immédiatement$2.27Afficher les détails
MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGAEPC2108MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA736 - Immédiatement$2.05Afficher les détails
MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIEEPC2101MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE63 - Immédiatement$8.61Afficher les détails

FETs-MOSFETs - Single

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
GANFET N-CH 40V 4A DIEEPC8004GANFET N-CH 40V 4A DIE4111 - Immédiatement$3.43Afficher les détails
GANFET N-CH 65V 4A DIEEPC8009GANFET N-CH 65V 4A DIE9933 - Immédiatement$3.68Afficher les détails
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINEEPC2001CGANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE50347 - Immédiatement$4.78Afficher les détails
GANFET N-CH 100V 18A DIEEPC2016CGANFET N-CH 100V 18A DIE42895 - Immédiatement$2.72Afficher les détails
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINEEPC2007CGANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE8679 - Immédiatement$2.46Afficher les détails

Related Videos

EPC 2024 electronica interview: GaN and the future of untethered robots
EPC 2024 electronica interview: GaN and the future of untethered robots

Date de publication : 2025-01-29

Gallium Nitride Reliability in Real-World DC-DC Applications
Gallium Nitride Reliability in Real-World DC-DC Applications

Date de publication : 2023-08-31

Gallium Nitride Reliability in Real-World Space Applications Webinar
Gallium Nitride Reliability in Real-World Space Applications Webinar

Date de publication : 2023-08-31

Related Product Highlight

Carte de démonstration EPC91116 La carte de démonstration EPC91116 d'EPC dispose d'un générateur d'impulsions étroites en option pour simplifier le fonctionnement avec des générateurs d'impulsions et de fonctions classiques.
Carte de démonstration EPC9149 La carte de démonstration EPC9149 d'EPC est un convertisseur LLC de 1 kW, 48 V en entrée et 12 V en sortie, qui fonctionne comme un transformateur CC avec un rapport de conversion fixe de 4:1.
Carte de démonstration EPC9145KIT La carte de démonstration EPC9145KIT d'EPC convient aux applications de vélos électriques, d'eMotion, de drones et de moteurs de robots.

Related Articles and Blogs

Webinaire – Puissance et rendement maximum : GaN Ce webinaire présente une série de conceptions de référence conjointes basées GaN, offrant une puissance de sortie inégalée, un haut rendement thermique et un espace carte réduit.
Les semi-conducteurs à large bande interdite améliorent l'efficacité dans les data centers Étant donné que les data centers ont d'énormes besoins en énergie, des solutions d'alimentation capables de réduire les pertes de puissance, d'augmenter le rendement et d'améliorer le contrôle thermique sont nécessaires.
Les semi-conducteurs à large bande interdite redéfinissent les transports L'ensemble du secteur des transports subit une transformation radicale avec des solutions pour les voitures électriques et hybrides et des transports en commun plus propres.

Related Product Training Modules

Driving eGaN FETs with the LM5113 The advantages of EPC’s enhancement mode gallium nitride transistors and the key design challenges of implementing the new device technology.
eGaN® FET Reliability Significant performance and size advantages over silicon power MOSFETs allow for improved system efficiency, reduced system costs, and reduced design size.