MOSFET SCT en carbure de silicium de 4e génération

Les MOSFET SCT de 4e génération de ROHM sont des dispositifs de puissance révolutionnaires en carbure de silicium (SiC), conçus pour offrir un rendement et des performances inégalés dans les applications exigeantes. Tirant parti des avantages inhérents à la technologie SiC, les MOSFET SCT offrent des avantages significatifs par rapport aux MOSFET en silicium traditionnels. Ils présentent une tension de claquage supérieure capable de résister à des tensions plus élevées, ce qui permet de concevoir des systèmes compacts. Ils se caractérisent par une résistance à l'état passant ultrafaible (R_DS(ON)) qui réduit les pertes par conduction et améliore le rendement énergétique, ainsi que par une commutation à haute vitesse, qui permet des fréquences de commutation plus rapides et minimise les pertes de commutation. Ces MOSFET affichent des performances thermiques exceptionnelles et fonctionnent à des températures plus élevées pour une fiabilité accrue du système.