MOSFET SiC à 7 broches

ROHM Semiconductor enrichit son portefeuille de MOSFET discrets en carbure de silicium (SiC) avec des dispositifs désormais disponibles en boîtier CMS TO-263-7L. L'avantage de la connexion Kelvin à la borne source du MOSFET SiC fournie par le boîtier TO-263-7L est illustré dans l'image ci-dessous. L'inductance de la source principale (L_S) n'est plus partagée par la boucle d'attaque de grille et le trajet de courant principal. En conséquence, le dispositif peut être commuté plus rapidement, ce qui entraîne une réduction des pertes de commutation.

Le boîtier CMS TO-263-7L et ses inductances parasites

Au démarrage, la vitesse de commutation du dispositif à trois conducteurs est limitée car la chute de tension inductive à la borne source réduit la tension de grille effective, ce qui entraîne un long temps de transition di/dt et des pertes au démarrage importantes. Cette période est plus courte dans un dispositif en boîtier CMS avec une connexion de source Kelvin au circuit d'attaque de grille et, par conséquent, la perte au démarrage est réduite. De même, une vitesse di/dt beaucoup plus élevée peut être obtenue dans le transitoire d'arrêt en raison de l'effet d'inductance parasite réduit dans le boîtier TO263-7L, ce qui entraîne une perte à l'arrêt inférieure à celle du boîtier TO-247.

Alors que les MOSFET SiC peuvent atteindre des vitesses de commutation très élevées, ce qui réduit considérablement la perte d'énergie dans les convertisseurs électroniques de puissance, le potentiel de ces dispositifs ne peut pas toujours être exploité au maximum en raison des limitations des boîtiers de semi-conducteurs de puissance traditionnels. Ce conditionnement modernisé par ROHM vise à supprimer cette limitation.