VideoLibrary

ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

Optimize your designs with SiC power devices and gate drivers from ROHM, the pioneer and industry leader in SiC technology.

2/6/2023 4:57:29 PM

Part List

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULEBSM080D12P2C008MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE0 - Immédiatement$254.99Afficher les détails
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEBSM180D12P3C007MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE13 - Immédiatement$450.61Afficher les détails
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P2E001MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE8 - Immédiatement$568.36Afficher les détails
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULEBSM180D12P2C101MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE1 - Immédiatement$357.44Afficher les détails
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULEBSM120D12P2C005MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE2 - Immédiatement$294.22Afficher les détails
MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULEBSM120C12P2C201MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULE7 - Immédiatement$238.84Afficher les détails
MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULEBSM600D12P3G001MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE0 - ImmédiatementSee Page for PricingAfficher les détails
MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULEBSM400D12P3G002MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULE2 - Immédiatement$996.00Afficher les détails
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P3E005MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE6 - Immédiatement$1,097.14Afficher les détails
MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULEBSM250D17P2E004MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULE3 - Immédiatement$787.20Afficher les détails
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULEBSM180D12P2E002MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE4 - Immédiatement$541.20Afficher les détails
1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-STSCT4036KW7TL1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST244 - Immédiatement$12.86Afficher les détails
750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STRSCT4026DW7TL750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR638 - Immédiatement$13.58Afficher les détails
750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STRSCT4045DW7HRTL750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR0 - Immédiatement$9.35Afficher les détails
1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-STSCT4018KW7TL1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST740 - Immédiatement$23.64Afficher les détails
1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-STSCT4062KW7HRTL1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST3669 - Immédiatement$9.60Afficher les détails
750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STRSCT4045DW7TL750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR335 - Immédiatement$9.37Afficher les détails
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268SCT2750NYTBSICFET N-CH 1700V 5.9A TO2680 - Immédiatement$2.80Afficher les détails
1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-STSCT4036KEHRC111200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST289 - Immédiatement$15.49Afficher les détails
750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STRSCT4045DRC15750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR3543 - Immédiatement$10.30Afficher les détails

Related Videos

Tamura Total Solutions
Tamura Total Solutions

Date de publication : 2024-08-20

ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look
ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look

Date de publication : 2023-09-20

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

Date de publication : 2023-06-22

Related Product Highlight

MOSFET SCT en carbure de silicium de 4e génération Les MOSFET en carbure de silicium de 4e génération de ROHM sont conçus pour offrir un rendement et des performances inégalées dans les applications exigeantes.
MOSFET SiC de 4ème génération Les MOSFET SiC de 4ème génération de ROHM se caractérisent par de faibles pertes de commutation ainsi que la prise en charge d'une tension grille-source de 15 V, ce qui contribue aux économies d'énergie du dispositif.
Industrial Power Solutions ROHM’s reliable portfolio of power solutions includes a variety of applications within the industrial sector from SiC MOSFETs and gate drivers to IPMs and shunt resistors. Learn more at DigiKey today.

Related Articles and Blogs

Comment réduire les pertes, améliorer le rendement et étendre la plage de températures dans les applications haute puissance Les concepteurs peuvent utiliser des MOSFET SiC de 4e génération pour améliorer considérablement le rendement, réduire les coûts et diminuer la taille des circuits de commande haute tension et haute puissance.
Les semi-conducteurs à large bande interdite redéfinissent les transports L'ensemble du secteur des transports subit une transformation radicale avec des solutions pour les voitures électriques et hybrides et des transports en commun plus propres.
Semi-conducteurs à large bande interdite dans les applications aérospatiales et satellitaires Les semi-conducteurs à large bande interdite offrent plusieurs avantages dans la conversion de puissance, notamment l'augmentation de la densité de puissance et du rendement, et la réduction de la taille et du poids des systèmes.

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.
Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.
4th Generation SiC MOSFETs This presentation will provide a brief overview of ROHM’s latest SiC trench MOSFETs and their advantages for power electronics applications.