Circuit d'attaque de grille SCT2H12NZ

Le dispositif SCT2H12NZ de ROHM fournit la haute tension de claquage requise pour les alimentations auxiliaires dans les équipements industriels. La perte de conduction est divisée par 8 par rapport aux MOSFET silicium conventionnels, contribuant à un rendement énergétique supérieur.

Optimisation pour les alimentations auxiliaires dans les équipements industriels

Par rapport aux MOSFET silicium de 1500 V utilisés dans les alimentations auxiliaires pour les équipements industriels, le SCT2H12NZ offre une tension de claquage plus élevée (1700 V) avec une résistance à l'état passant 8 fois inférieure (1,15 Ω). De plus, le boîtier TO-3PFM compact permet de maintenir la ligne de fuite (distance mesurée le long de la surface du matériau isolant) requise par les équipements industriels. ROHM lance un type à montage en surface (TO268-2L) qui fournit également une ligne de fuite adéquate.

Rendement amélioré en conjonction avec les circuits intégrés dédiés de ROHM

L'utilisation du dernier MOSFET SiC en combinaison avec le circuit intégré de commande de convertisseur CA/CC de ROHM (BD7682FJ-LB) conçu spécialement pour la commande de MOSFET SiC permet d'optimiser les performances et d'améliorer le rendement de 6 %. En même temps, la génération de chaleur est réduite, ce qui minimise les contre-mesures thermiques et permet l'utilisation de composants plus petits.

Isolement de 3,75 k

L'utilisation d'un dispositif BM61M41RFV ou BM61S40RFV permet aux utilisateurs de disposer d'un circuit d'attaque de grille avec une tension d'isolement de 3750 V_RMS, un temps de retard d'E/S de 65 ns et une largeur d'impulsion d'entrée minimale de 60 ns. Ce dispositif bénéficie de fonctions de verrouillage en cas de sous-tension (UVLO) et de blocage Miller.