Étages de puissance FET GaN 600 V LMG3410R050/LMG3411R050

Les étages de puissance GaN LMG3410R050 et LMG3411R050 de Texas Instruments, avec protection et circuit d'attaque intégrés, permettent aux concepteurs d'atteindre des niveaux inégalés de densité de puissance et de rendement dans les systèmes d'électronique de puissance. Ces dispositifs présentent des avantages intrinsèques par rapport aux MOSFET silicium, notamment une capacité d'entrée et de sortie ultrafaible, un recouvrement inverse nul pour réduire les pertes de commutation jusqu'à 80 % et une faible oscillation du nœud de commutation afin de réduire les interférences électromagnétiques (EMI). Ces avantages permettent des topologies denses et efficaces comme le PFC totem-pole.

Les dispositifs LMG3410R050 et LMG3411R050 offrent une alternative intelligente aux FET GaN traditionnels autonomes et cascodes, en intégrant un ensemble unique de fonctionnalités pour simplifier la conception, maximiser la fiabilité et optimiser les performances de n'importe quelle alimentation. Une attaque de grille intégrée permet une commutation de 100 V/ns avec une oscillation V_DS proche de zéro ; une limitation de courant < 100 ns offre une protection contre les événements « shoot-through » involontaires, un arrêt en cas de surchauffe empêche l'emballement thermique et des signaux d'interface système permettent des capacités de surveillance automatique.