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Substituts disponibles:

Direct


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 37
Prix unitaire : Fr. 1.73000
Fiche technique

Direct


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 4.10000
Fiche technique

Similaire


onsemi
En stock: 1’030
Prix unitaire : Fr. 3.95000
Fiche technique

Similaire


onsemi
En stock: 718
Prix unitaire : Fr. 3.42000
Fiche technique

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Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 2.55000
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 373
Prix unitaire : Fr. 3.36000
Fiche technique

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Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 2.84000
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 1’700
Prix unitaire : Fr. 1.60000
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 603
Prix unitaire : Fr. 4.02000
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 1’527
Prix unitaire : Fr. 2.20000
Fiche technique

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STMicroelectronics
En stock: 970
Prix unitaire : Fr. 2.18000
Fiche technique

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Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 112
Prix unitaire : Fr. 3.14000
Fiche technique

Similaire


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 1.40360
Fiche technique

Similaire


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 1.53520
Fiche technique
Canal N 600 V 11 A (Tc) 38W (Tc) Trou traversant TO-220F
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

AOTF11S60L

Numéro de produit DigiKey
AOTF11S60L-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
AOTF11S60L
Description
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 11 A (Tc) 38W (Tc) Trou traversant TO-220F
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Afficher les attributs vides
Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4,1V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
11 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±30V
Conditionnement
Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
545 pF @ 100 V
Statut du composant
Pas pour les nouvelles conceptions
Dissipation de puissance (max.)
38W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Trou traversant
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Boîtier fournisseur
TO-220F
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
399mohms à 3,8A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (14)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
TK11A65W,S5XToshiba Semiconductor and Storage37TK11A65WS5X-NDFr. 1.73000Direct
TK12A60W,S4VXToshiba Semiconductor and Storage0264-TK12A60W,S4VX-NDFr. 4.10000Direct
FCPF400N80Zonsemi1’030FCPF400N80Z-NDFr. 3.95000Similaire
FDPF17N60NTonsemi718FDPF17N60NTFS-NDFr. 3.42000Similaire
IPAN80R360P7XKSA1Infineon Technologies0IPAN80R360P7XKSA1-NDFr. 2.55000Similaire
Disponible sur commande
Ce produit n'est pas maintenu en stock chez DigiKey. Le délai d'approvisionnement indiqué s'applique à l'expédition du fabricant à DigiKey. À réception du produit, DigiKey procédera à l'expédition pour satisfaire les commandes en cours.
Non recommandé pour une nouvelle conception, des quantités minimum peuvent s'appliquer. Voir Produits de substitution.
Tous les prix sont en CHF
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
1’000Fr. 0.95872Fr. 958.72
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:Fr. 0.95872
Prix unitaire avec TVA:Fr. 1.03638