Name: ISG0614N06NM5HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0614N06NM5HATMA1TR-ND
Price: 4.37805 CHF
Availability: InStock

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ISG0614N06NM5HATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-ISG0614N06NM5HATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-ISG0614N06NM5HATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-ISG0614N06NM5HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	ISG0614N06NM5HATMA1
Description	MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	25 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 31A (Ta), 233A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montage en surface PG-VITFN-10-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	ISG0614N06NM5HATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 1,6mohms à 50A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 3,3V à 86µA
Série OptiMOS™ 5	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 102nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6400pF à 30V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 3W (Ta), 167W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (demi-pont)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60V	Boîtier 10-PowerVDFN
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 31A (Ta), 233A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-VITFN-10-1