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FCH22N60N est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
FCH22N60N | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FCH22N60N-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FCH22N60N |
Description | MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 22 A (Tc) 205W (Tc) Trou traversant TO-247-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 45 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1950 pF @ 100 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 205W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur TO-247-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 165mohms à 11A, 10V |
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Substituts (11)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| NTHL120N60S5Z | onsemi | 259 | 488-NTHL120N60S5Z-ND | Fr. 5.59000 | Recommandation fabricant |
| IPW60R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | 88 | IPW60R190E6FKSA1-ND | Fr. 3.50000 | Similaire |
| IRFP22N60KPBF | Vishay Siliconix | 2 | IRFP22N60KPBF-ND | Fr. 7.09000 | Similaire |
| IXFH50N60P3 | IXYS | 357 | 238-IXFH50N60P3-ND | Fr. 9.57000 | Similaire |
| R6024KNZ1C9 | Rohm Semiconductor | 1 | R6024KNZ1C9-ND | Fr. 3.42000 | Similaire |
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