FCP22N60N est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Canal N 600 V 22 A (Tc) 205W (Tc) Trou traversant TO-220-3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FCP22N60N

Numéro de produit DigiKey
FCP22N60N-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
FCP22N60N
Description
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 22 A (Tc) 205W (Tc) Trou traversant TO-220-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
FCP22N60N Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
45 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±45V
Conditionnement
Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1950 pF @ 100 V
Statut du composant
Obsolète
Dissipation de puissance (max.)
205W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Trou traversant
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Boîtier fournisseur
TO-220-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
165mohms à 11A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (15)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
NTP165N65S3Honsemi733488-NTP165N65S3H-NDFr. 4.15000Recommandation fabricant
AOT20S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.532785-1251-5-NDFr. 3.77000Similaire
AOT27S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.3’057785-1252-5-NDFr. 4.42000Similaire
IPP60R180P7XKSA1Infineon Technologies8’308IPP60R180P7XKSA1-NDFr. 2.43000Similaire
IPP60R190C6XKSA1Infineon Technologies2’428IPP60R190C6XKSA1-NDFr. 2.98000Similaire
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.