STD10NM65N est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Direct


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Canal N 650 V 9 A (Tc) 90W (Tc) Montage en surface DPAK
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

STD10NM65N

Numéro de produit DigiKey
497-7957-2-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
STD10NM65N
Description
MOSFET N-CH 650V 9A DPAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 9 A (Tc) 90W (Tc) Montage en surface DPAK
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
480mohms à 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
850 pF @ 50 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
90W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
DPAK
Boîtier
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

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Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.