Similaire
Similaire
Similaire
Similaire
Similaire
Similaire

STD9N80K5 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | STD9N80K5-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | STD9N80K5 |
Description | MOSFET N-CHANNEL 800V 7A DPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 18 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 7 A (Tc) 110W (Tc) Montage en surface DPAK |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | STD9N80K5 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 100µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 340 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 110W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 800 V | Boîtier fournisseur DPAK |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 900mohms à 3,5A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCD4N60TM | onsemi | 3’396 | FCD4N60TMCT-ND | Fr. 2.03000 | Similaire |
| IPD65R950CFDATMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPD65R950CFDATMA1-ND | Fr. 0.00000 | Similaire |
| R6006ANDTL | Rohm Semiconductor | 0 | 846-R6006ANDTLTR-ND | Fr. 0.81016 | Similaire |
| R8006KND3TL1 | Rohm Semiconductor | 738 | 846-R8006KND3TL1CT-ND | Fr. 3.69000 | Similaire |
| SPD04N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | 1’927 | SPD04N60C3ATMA1CT-ND | Fr. 1.84000 | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.82429 | Fr. 2’060.72 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 0.82429 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 0.89106 |






