Recommandation fabricant
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R6006ANDTL | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 846-R6006ANDTLTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | R6006ANDTL |
Description | MOSFET N-CH 600V 6A CPT |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 6 A (Tc) 40W (Tc) Montage en surface CPT3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | R6006ANDTL Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 1mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Date de dernière disponibilité | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 460 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 40W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur CPT3 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,2ohms à 3A, 10V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| R6007END3TL1 | Rohm Semiconductor | 1’011 | 846-R6007END3TL1CT-ND | Fr. 2.40000 | Recommandation fabricant |
| IPD60R950C6ATMA1 | Infineon Technologies | 3’984 | IPD60R950C6ATMA1CT-ND | Fr. 1.26000 | Similaire |
| STD7NM60N | STMicroelectronics | 10’966 | 497-11042-1-ND | Fr. 2.42000 | Similaire |
| STD9N80K5 | STMicroelectronics | 0 | STD9N80K5-ND | Fr. 0.82429 | Similaire |
| TK5P60W,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 2’000 | TK5P60WRVQTR-ND | Fr. 0.79380 | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.81016 | Fr. 2’025.40 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 0.81016 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 0.87578 |






