NPN- und PNP-Transistoren DFN0606

Mit einer Platinenfläche von nur 0.36 mm² sind die Transistoren DFN0606 von Diodes 40% kleiner als die direkt konkurrierenden DFN1006-Komponenten (SOT883) und liefern die gleichen oder bessere elektrische Eigenschaften. Mit ihren Off-Board-Höhe von nur 0,4 mm sind sie ideal für tragbare Technologien wie intelligente Uhren, Gesundheit- und Fitnessgeräte, sowie andere räumlich begrenzte Konsumgüter wie Smartphones und Tablets.

Diodes erste Bipolartransistor-Angebote DFN0606 sind zwei NPN- und PNP-Komponenten zur Handhabung einer Verlustleistung bis zu 830 mW. Die auf 40 V ausgelegten MMBT3904FZ und MMBT3906FZ steigern deutlich die Leistungsdichte und bieten einen hohen 200 mA Kollektorstrom, während die auf 45 V ausgelegten BC847BFZ und BC857BFZ einen Kollektorstrom von 100 mA bieten. Alle Komponenten schalten bei einer Basis-Emitter-Spannung von weniger als 1 V ein und ermöglichen eine komplette Einschaltung unter Bedingungen mit sehr geringer tragbarer Leistung.

Merkmale

• 0,36 mm² Platzbedarf und 0,4 mm Höhe über der Platine - Dieser kleine Formfaktor ermöglicht Designern die Leiterplattenfläche zu reduzieren und liefert mehr Leistung als vergleichbare Transistoren in viel größeren Gehäusen
• Höhere Leistungsdichte – Das unbedrahtete DFN0606-Gehäuse ist thermisch effizient mit einem thermischen Widerstand von lediglich 135 °C/W und ermöglicht eine höhere Leistungsdichte
• Inbetriebnahme bei VBE <1 V – BJTs erlauben Niederspannungsanwendungen bei weniger als 1 V zu schalten und ermöglichen tragbaren Anwendungen unter Niederleistungsbedingungen vollständig eingeschaltet zu sein