FET- und MOSFET-Arrays

Resultate : 5’112
Hersteller
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLCGeneSiC SemiconductorGoford Semiconductor
Serie
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Verpackung
BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeTablett
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
Technologie
-GaNFET (Galliumnitrid)MOSFET (Metalloxid)Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
1 N-Kanal, 1 P-Kanal2 N- und 2 P-Kanal (Vollbrücke)2 N- und 2 P-Kanal abgestimmtes Paar2 N- und 2 P-Kanal2 N-Kanal (Dual), P-Kanal2 N-Kanal (Halbbrücke)2 N-Kanal (Phasenabschnitt)2 N-Kanal (kaskodiert)2 N-Kanal (zweifach) abgestimmtes Paar2 N-Kanal (zweifach)2 N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Source-Pin2 N-Kanal, gemeinsamer Drain-Anschluss
FET-Merkmal
-GaNFET (Galliumnitrid)Logikpegel-GateLogikpegel-Gatter, 0,9VLogikpegel-Gatter, 1,2VLogikpegel-Gatter, 1,5VLogikpegel-Gatter, 1,8VLogikpegel-Gatter, 2,5VLogikpegel-Gatter, 4,5VLogikpegel-Gatter, 4VLogikpegel-Gatter, 5VMit VerarmungsschichtSiliziumkarbid (SiC)Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)115mA (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,46mOhm bei 160A, 12V0,762mOhm bei 160A, 12V765µOhm bei 160A, 12V, 580µOhm bei 160A, 12V765µOhm bei 160A, 12V, 710µOhm bei 160A, 12V0,8mOhm bei 1200A, 10V0,88mOhm bei 160A, 14V, 0,71mOhm bei 160A, 14V0,95mOhm bei 30A, 10V0,95mOhm bei 8A, 4,5V0,99mOhm bei 80A, 10V, 1,35mOhm bei 80A, 10V1,039mOhm bei 160A, 12V, 762µOhm bei 160A, 12V1,2mOhm bei 10A, 10V1,2mOhm bei 800A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
10mV bei 10µA10mV bei 1µA10mV bei 20µA20mV bei 10µA20mV bei 1µA20mV bei 20µA180mV bei 1µA220mV bei 1µA360mV bei 1µA380mV bei 1µA400mV bei 250µA (Min)420mV bei 1µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0,4pC bei 4,5V, 7,3nC bei 4,5V0,45 pC bei 4,5V0,16nC bei 5V, 0,044nC bei 5V0,22nC bei 5V, 0,044nC bei 5V0,26nC bei 2,5V280pC bei 4,5V0,28nC bei 4,5V0,28nC bei 4,5V, 0,3nC bei 4,5V0,3nC bei 4,5V0,3nC bei 4,5V, 0,28nC bei 4,5V0,304nC bei 4,5V0,31nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2,5pF bei 5V3pF bei 5V6pF bei 3V6,2pF bei 10V6,6pF bei 10V7pF bei 10V7pF bei 3V7,1pF bei 10V7,4pF bei 10V7,5pF bei 10V8,5pF bei 3V9pF bei 15V
Leistung - Max.
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 125°C-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 150°C (Tc)-55°C bis 150°C-55°C bis 155°C (TJ)-55°C bis 175°C (TA)-55°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 175°C-50°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 125°C (TA)
Klasse
-AutomobiltechnikMilitärtechnik
Qualifizierung
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäuse / Hülle
4-SMD, ohne Anschlüsse4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-VDFN4-VFDFN mit freiliegendem Pad4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA4-XFBGA, WLCSP4-XFDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-Chip-LGA (1,59 x 1,59)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
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Preis
Serie
Verpackung
Produktstatus
Technologie
Konfiguration
FET-Merkmal
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
Leistung - Max.
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
265’518
Vorrätig
1 : Fr. 0.21000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.03536
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)-60V300mA1,5Ohm bei 100mA, 10V2,1V bei 250µA0,6nC bei 4,5V40pF bei 10V285mW150°C (TJ)--Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
234’695
Vorrätig
1 : Fr. 0.30000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.05418
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)-60V230mA7,5Ohm bei 50mA, 5V2V bei 250µA-50pF bei 25V310mW-55°C bis 150°C (TJ)--Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
46’157
Vorrätig
1 : Fr. 0.31000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.08346
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate20V610mA (Ta)396mOhm bei 500mA, 4,5V1V bei 250µA2nC bei 8V43pF bei 10V220mW-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
SOT-363 PKG
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
158’621
Vorrätig
1 : Fr. 0.32000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.08554
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate20V880mA400mOhm bei 880mA, 2,5V750mV bei 1,6µA0,26nC bei 2,5V78pF bei 10V500mW-55°C bis 150°C (TJ)--Oberflächenmontage6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
SOT 363
BSS84DW-7-F
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
Diodes Incorporated
91’675
Vorrätig
1 : Fr. 0.32000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.08652
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 P-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate50V130mA10Ohm bei 100mA, 5V2V bei 1mA-45pF bei 25V300mW-55°C bis 150°C (TJ)--Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT-363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
91’074
Vorrätig
1 : Fr. 0.32000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.05284
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate60V295mA1,6Ohm bei 500mA, 10V2,5V bei 250µA0,9nC bei 4,5V26pF bei 20V250mW-55°C bis 150°C (TJ)--Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
7’286
Vorrätig
1 : Fr. 0.32000
Gurtabschnitt (CT)
4’000 : Fr. 0.05675
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)N- und P-KanalLogikpegel-Gatter, 1,5V20V800mA (Ta)235mOhm bei 800mA, 4,5V, 390mOhm bei 800mA, 4,5V1V bei 1mA1nC bei 10V55pF bei 10V, 100pF bei 10V150mW (Ta)150°C--OberflächenmontageSOT-563, SOT-666ES6
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
744
Vorrätig
1 : Fr. 0.32000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.08485
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)-30V250mA1,5Ohm bei 10mA, 4V1,5V bei 100µA1,3nC bei 5V33pF bei 5V272mW-55°C bis 150°C (TJ)--Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
403’164
Vorrätig
1 : Fr. 0.33000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.05847
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gatter, 1,5V20V250mA (Ta)2,2Ohm bei 100mA, 4,5V1V bei 1mA-12pF bei 10V300mW150°C--Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
251’702
Vorrätig
165’000
Fabrik
1 : Fr. 0.33000
Gurtabschnitt (CT)
2’500 : Fr. 0.08763
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 P-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate30V3,9A70mOhm bei 5,3A, 10V3V bei 250µA11nC bei 10V563pF bei 25V1,1W-55°C bis 150°C (TJ)--Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SO
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
29’989
Vorrätig
1 : Fr. 0.33000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.05859
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate60V320mA1,6Ohm bei 500mA, 10V2,4V bei 250µA0,8nC bei 4,5V50pF bei 10V420mW150°C (TJ)AutomobiltechnikAEC-Q100Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
MMDT2907A-TP
2N7002DW-TP
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Micro Commercial Co
1’224’900
Vorrätig
1 : Fr. 0.33000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.06019
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)-60V115mA7,5Ohm bei 50mA, 5V2V bei 250µA-50pF bei 25V200mW-55°C bis 150°C (TJ)--Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
187’205
Vorrätig
3’579’000
Fabrik
1 : Fr. 0.33000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.07414
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenMOSFET (Metalloxid)N- und P-KanalLogikpegel-Gatter, 4,5V30V3,4 A, 2,8 A60mOhm bei 3,1A, 10V2,3V bei 250µA13nC bei 10V400pF bei 15V840mW-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-6 dünn, TSOT-23-6TSOT-26
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
101’737
Vorrätig
1 : Fr. 0.33000
Gurtabschnitt (CT)
8’000 : Fr. 0.07155
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gatter, 0,9V50V200mA2,2Ohm bei 200mA, 4,5V800mV bei 1mA-26pF bei 10V120mW150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-563, SOT-666EMT6
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
65’818
Vorrätig
1 : Fr. 0.34000
Gurtabschnitt (CT)
4’000 : Fr. 0.09292
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)N- und P-KanalLogikpegel-Gate20V540mA, 430mA550mOhm bei 540mA, 4,5V1V bei 250µA2,5nC bei 4,5V150pF bei 16V250mW-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-563, SOT-666SOT-563
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
61’614
Vorrätig
474’000
Fabrik
1 : Fr. 0.34000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.07525
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)N- und P-KanalLogikpegel-Gate30V3,8 A, 2,5 A55mOhm bei 3,4A, 10V1,5V bei 250µA12,3nC bei 10V422pF bei 15V850mW-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-6 dünn, TSOT-23-6TSOT-26
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
183’798
Vorrätig
2’607’000
Fabrik
1 : Fr. 0.35000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.06329
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)N- und P-KanalLogikpegel-Gate20V1,03A, 700 mA480mOhm bei 200mA, 5V900mV bei 250µA0,5nC bei 4,5V37,1pF bei 10V450mW-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
71’377
Vorrätig
441’000
Fabrik
1 : Fr. 0.35000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.09500
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)-60V280mA7,5Ohm bei 50mA, 5V2,5V bei 250µA-50pF bei 25V150mW-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-563, SOT-666SOT-563
MCM2301-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
46’909
Vorrätig
1 : Fr. 0.35000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.09486
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanäle-30V5A32mOhm bei 5,8A, 10V1,5V bei 250µA-1155pF bei 15V1,4W-55°C bis 150°C (TJ)--Oberflächenmontage6-VDFN mit freiliegendem PadDFN2020-6L
SOT 563
DMG1026UV-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563
Diodes Incorporated
42’978
Vorrätig
549’000
Fabrik
1 : Fr. 0.35000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.09500
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate60V410mA1,8Ohm bei 500mA, 10V1,8V bei 250µA0,45nC bei 10V32pF bei 25V580mW-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-563, SOT-666SOT-563
6DFN
PMDXB550UNEZ
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Nexperia USA Inc.
38’658
Vorrätig
1 : Fr. 0.35000
Gurtabschnitt (CT)
5’000 : Fr. 0.09112
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)-30V590mA670mOhm bei 590mA, 4,5V950mV bei 250µA1,05nC bei 4,5V30,3pF bei 15V285mW-55°C bis 150°C (TJ)--Oberflächenmontage6-XFDFN mit freiliegendem PadDFN1010B-6
U-DFN2020-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
35’266
Vorrätig
123’000
Fabrik
1 : Fr. 0.35000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.11982
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)-30V6,2A30mOhm bei 5,8A, 10V2V bei 250µA10,6nC bei 10V500pF bei 15V1W-55°C bis 150°C (TJ)--Oberflächenmontage6-UDFN mit freiliegendem PadU-DFN2020-6 (Typ B)
SC-70-6
SI1926DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Vishay Siliconix
25’431
Vorrätig
1 : Fr. 0.35000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.11799
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate60V370mA1,4Ohm bei 340mA, 10V2,5V bei 250µA1,4nC bei 10V18,5pF bei 30V510mW-55°C bis 150°C (TJ)--Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
97’117
Vorrätig
1 : Fr. 0.36000
Gurtabschnitt (CT)
4’000 : Fr. 0.06535
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate30V100mA4Ohm bei 10mA, 4V1,5V bei 100µA-8,5pF bei 3V150mW150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-563, SOT-666ES6
SOT363
BSS84AKS,115
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
76’858
Vorrätig
1 : Fr. 0.36000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.06441
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 P-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate50V160mA7,5Ohm bei 100mA, 10V2,1V bei 250µA0,35nC bei 5V36pF bei 25V445mW-55°C bis 150°C (TJ)AutomobiltechnikAEC-Q101Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
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von 5’112

FET- und MOSFET-Arrays


Feldeffekttransistoren (FETs) sind elektronische Komponenten, bei denen die Steuerung des Stromflusses über ein elektrisches Feld erfolgt. Durch das Anlegen einer Spannung an die Gate-Klemme wird die Leitfähigkeit zwischen den Drain- und Source-Klemmen umgeschaltet. FETs werden auch als unipolare Transistoren bezeichnet, da sie nach dem Einzel-Träger-Prinzip arbeiten. Das bedeutet, dass FETs entweder Elektronen oder Löcher als Ladungsträger nutzen, nicht jedoch beides. Feldeffekttransistoren weisen im Allgemeinen eine sehr hohe Eingangsimpedanz bei niedrigen Frequenzen auf.