FET- und MOSFET-Arrays

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	Technologie	Konfiguration	FET-Merkmal	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	Leistung - Max.	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten
SSM6N7002KFU,LF MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	237’061 Vorrätig	1 : Fr. 0.18000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.03690 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	-	60V	300mA	1,5Ohm bei 100mA, 10V	2,1V bei 250µA	0,6nC bei 4,5V	40pF bei 10V	285mW	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
2N7002DW-7-F MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Diodes Incorporated	163’662 Vorrätig	1 : Fr. 0.27000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.05718 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	-	60V	230mA	7,5Ohm bei 50mA, 5V	2V bei 250µA	-	50pF bei 25V	310mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
SSM6L56FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	58’542 Vorrätig	1 : Fr. 0.28000 Gurtabschnitt (CT) 4’000 : Fr. 0.05676 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gatter, 1,5V	20V	800mA (Ta)	235mOhm bei 800mA, 4,5V, 390mOhm bei 800mA, 4,5V	1V bei 1mA	1nC bei 10V	55pF bei 10V, 100pF bei 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	ES6
2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Infineon Technologies	48’619 Vorrätig	1 : Fr. 0.28000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.05732 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	OptiMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	60V	300mA	3Ohm bei 500mA, 10V	2,5V bei 250µA	0,6nC bei 10V	20pF bei 25V	500mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
SSM6N37FU,LF MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	147’393 Vorrätig	1 : Fr. 0.29000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.06074 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gatter, 1,5V	20V	250mA (Ta)	2,2Ohm bei 100mA, 4,5V	1V bei 1mA	-	12pF bei 10V	300mW	150°C	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
2N7002BKS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	210’623 Vorrätig	1 : Fr. 0.32000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.06989 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	60V	300mA (Ta)	1,6Ohm bei 500mA, 10V	2,1V bei 250µA	0,6nC bei 4,5V	50pF bei 10V	295mW	150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
DMG1016UDW-7 MOSFET N/P-CH 20V SOT363 Diodes Incorporated	25’940 Vorrätig	1 : Fr. 0.33000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.07184 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gate	20V	1,07A, 845mA	450mOhm bei 600mA, 4,5V	1V bei 250µA	0,74nC bei 4,5V	60,67pF bei 10V	330mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
BSD840NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Infineon Technologies	28’576 Vorrätig	1 : Fr. 0.34000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.07266 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	OptiMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	20V	880mA	400mOhm bei 880mA, 2,5V	750mV bei 1,6µA	0,26nC bei 2,5V	78pF bei 10V	500mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	732’068 Vorrätig	1 : Fr. 0.36000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.06261 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gatter, 1,2V	50V	200mA	2,2Ohm bei 200mA, 4,5V	1V bei 1mA	-	25pF bei 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
DMG6602SVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Diodes Incorporated	95’552 Vorrätig 1’557’000 Fabrik	1 : Fr. 0.36000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.07806 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gatter, 4,5V	30V	3,4 A, 2,8 A	60mOhm bei 3,1A, 10V	2,3V bei 250µA	13nC bei 10V	400pF bei 15V	840mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6	TSOT-26
UM6K34NTCN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	64’265 Vorrätig	1 : Fr. 0.37000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.07964 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gatter, 0,9V	50V	200mA	2,2Ohm bei 200mA, 4,5V	800mV bei 1mA	-	26pF bei 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
DMG6601LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26 Diodes Incorporated	63’248 Vorrätig 876’000 Fabrik	1 : Fr. 0.37000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.07900 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gate	30V	3,8 A, 2,5 A	55mOhm bei 3,4A, 10V	1,5V bei 250µA	12,3nC bei 10V	422pF bei 15V	850mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6	TSOT-26
EM6K34T2CR MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 Rohm Semiconductor	3’601 Vorrätig	1 : Fr. 0.37000 Gurtabschnitt (CT) 8’000 : Fr. 0.06932 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gatter, 0,9V	50V	200mA	2,2Ohm bei 200mA, 4,5V	800mV bei 1mA	-	26pF bei 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	EMT6
SSM6L14FE(TE85L,F) MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	27’804 Vorrätig	1 : Fr. 0.41000 Gurtabschnitt (CT) 4’000 : Fr. 0.08556 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gatter, 1,5V	20V	800mA (Ta), 720mA (Ta)	240mOhm bei 500mA, 4,5V, 300mOhm bei 400mA, 4,5V	1V bei 1mA	2nC bei 4,5V, 1,76nC bei 4,5V	90pF bei 10V, 110pF bei 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	ES6
NTZD3154NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	415’910 Vorrätig	1 : Fr. 0.41000 Gurtabschnitt (CT) 4’000 : Fr. 0.08665 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	-	20V	540mA	550mOhm bei 540mA, 4,5V	1V bei 250µA	2,5nC bei 4,5V	150pF bei 16V	250mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	SOT-563
2N7002DW MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 onsemi	79’989 Vorrätig	1 : Fr. 0.41000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.09085 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	60V	115mA	7,5Ohm bei 50mA, 5V	2V bei 250µA	-	50pF bei 25V	200mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88 (SC-70-6)
NTJD4401NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 onsemi	36’921 Vorrätig	1 : Fr. 0.41000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.09071 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	20V	630mA	375mOhm bei 630mA, 4,5V	1,5V bei 250µA	3nC bei 4,5V	46pF bei 20V	270mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
SSM6L09FUTE85LF MOSFET N/P-CH 30V 0.4A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	27’660 Vorrätig	1 : Fr. 0.41000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.09176 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gate	30V	400mA, 200mA	700mOhm bei 200mA, 10V	1,8V bei 100µA	-	20pF bei 5V	300mW	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
NTZD3152PT1G MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563 onsemi	49’620 Vorrätig	1 : Fr. 0.43000 Gurtabschnitt (CT) 4’000 : Fr. 0.09145 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 P-Kanal (zweifach)	-	20V	430mA	900mOhm bei 430mA, 4,5V	1V bei 250µA	2,5nC bei 4,5V	175pF bei 16V	250mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	SOT-563
PMDT290UNE,115 MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 Nexperia USA Inc.	75’064 Vorrätig	1 : Fr. 0.44000 Gurtabschnitt (CT) 4’000 : Fr. 0.09246 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	20V	800mA	380mOhm bei 500mA, 4,5V	950mV bei 250µA	0,68nC bei 4,5V	83pF bei 10V	500mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	SOT-666
NTJD4001NT1G MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 onsemi	47’764 Vorrätig	1 : Fr. 0.45000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.09992 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	-	30V	250mA	1,5Ohm bei 10mA, 4V	1,5V bei 100µA	1,3nC bei 5V	33pF bei 5V	272mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
DMC3071LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26 Diodes Incorporated	14’601 Vorrätig	1 : Fr. 0.46000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.10253 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal komplementär	-	30V	4,6A (Ta), 3,3A (Ta)	50mOhm bei 3,5A, 10V, 95mOhm bei 3,8A, 10V	2,5V bei 250µA	4,5nC bei 10V, 6,5nC bei 10V	190pF bei 15V, 254pF bei 15V	700mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6	TSOT-26
NTZD3155CT1G MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	58’467 Vorrätig	1 : Fr. 0.48000 Gurtabschnitt (CT) 4’000 : Fr. 0.10331 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gate	20V	540mA, 430mA	550mOhm bei 540mA, 4,5V	1V bei 250µA	2,5nC bei 4,5V	150pF bei 16V	250mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	SOT-563
MCM3400A-TP MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN Micro Commercial Co	103’963 Vorrätig	1 : Fr. 0.49000 Gurtabschnitt (CT) 3’000 : Fr. 0.10935 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanäle	-	30V	5A	32mOhm bei 5,8A, 10V	1,5V bei 250µA	-	1155pF bei 15V	1,4W	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-VDFN mit freiliegendem Pad	DFN2020-6L
PMDXB550UNEZ MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN Nexperia USA Inc.	31’763 Vorrätig	1 : Fr. 0.49000 Gurtabschnitt (CT) 5’000 : Fr. 0.10207 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	-	30V	590mA	670mOhm bei 590mA, 4,5V	950mV bei 250µA	1,05nC bei 4,5V	30,3pF bei 15V	285mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-XFDFN mit freiliegendem Pad	DFN1010B-6

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Feldeffekttransistoren (FETs) sind elektronische Komponenten, bei denen die Steuerung des Stromflusses über ein elektrisches Feld erfolgt. Durch das Anlegen einer Spannung an die Gate-Klemme wird die Leitfähigkeit zwischen den Drain- und Source-Klemmen umgeschaltet. FETs werden auch als unipolare Transistoren bezeichnet, da sie nach dem Einzel-Träger-Prinzip arbeiten. Das bedeutet, dass FETs entweder Elektronen oder Löcher als Ladungsträger nutzen, nicht jedoch beides. Feldeffekttransistoren weisen im Allgemeinen eine sehr hohe Eingangsimpedanz bei niedrigen Frequenzen auf.

FET- und MOSFET-Arrays

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