Einzelne FETs, MOSFETs

Resultate : 37’787
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpCoherent CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLCEVVO
Serie
-*AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AP4NA2R2HCAPM32Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Verpackung
Band & Box (TB)BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeStreifenTablettTasche
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
FET-Typ
-N-KanalP-Kanal
Technologie
-GaNFET (Galliumnitrid)GaNFET (Kaskoden-Galliumnitrid-FET)MOSFET (Metalloxid)SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V18 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)45mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V0V, 10V0V, 18V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,29mOhm bei 50A, 10V0,3mOhm bei 200A, 10V0,35mOhm bei 50A, 10V0,36mOhm bei 100A, 10V0,39mOhm bei 100A, 10V0,4 mOhm bei 50A, 10V0,4mOhm bei 150A, 10V0,4mOhm bei 30A, 10V0,42mOhm bei 50A, 10V0,44mOhm bei 88A, 10V0,45mOhm bei 30A, 10V0,45mOhm bei 30A, 7V
Vgs(th) (max.) bei Id
400mV bei 1mA (Min)400mV bei 250µA (Min)450mV bei 100µA (Min)450mV bei 1mA (Min)450mV bei 250µA (Min)450mV bei 2mA (Min)500mV bei 250µA (Min)570mV bei 1mA (typisch)600mV bei 1,2mA (Min)600mV bei 1mA (Min)600mV bei 1mA (typisch)600mV bei 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0.0007 nC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
-20V-12V-10V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 3 V7 pF @ 10 V7.1 pF @ 10 V
FET-Merkmal
-Mit VerarmungsschichtSchottky-Diode (isoliert)Schottky-Diode (Körper)StrommessungTemperaturmessdiode
Verlustleistung (max.)
400µW400µW (Ta)500µW (Ta)100mW100mW (Ta)120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)140mW (Ta)150mW150mW (Ta)
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-65°C bis 175°C (TJ)-60°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 100°C-55°C bis 110°C (TA)-55°C bis 125°C-55°C bis 125°C (TA)-55°C bis 125°C (TJ)-55°C bis 135°C (TJ)-55°C bis 150°C-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-AutomobiltechnikMilitärtechnik
Qualifizierung
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Gehäuse / Hülle
2-DFN mit freiliegendem Pad3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, flache Anschlüsse3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, flache Anschlüsse3-SMD, Nicht standardmäßiges3-SMD, ohne Anschlüsse3-SMD, SOT-23-3 Variante
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
37’787Resultate
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Herst.-Teilenr.
Verfügbare Menge
Preis
Serie
Verpackung
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
77’478
Vorrätig
1 : Fr. 0.12000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.02457
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4,5Ohm bei 100mA, 10V
2,1V bei 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84Q-13-F
BSS FAMILY SOT23 T&R 10K
Diodes Incorporated
29’924
Vorrätig
990’000
Fabrik
1 : Fr. 0.14000
Gurtabschnitt (CT)
10’000 : Fr. 0.02247
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm bei 100mA, 5V
2V bei 1mA
0.59 nC @ 10 V
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
330’654
Vorrätig
1 : Fr. 0.15000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.02889
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm bei 50mA, 5V
2,5V bei 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23
BSS138-TP
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Micro Commercial Co
7’576
Vorrätig
1 : Fr. 0.16000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.03063
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
220mA (Tj)
4,5V, 10V
3,5Ohm bei 220mA, 10V
1,5V bei 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
350mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
51’127
Vorrätig
1 : Fr. 0.17000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.03341
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6Ohm bei 500mA, 10V
2,3V bei 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
32’271
Vorrätig
24’423’000
Fabrik
1 : Fr. 0.17000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.03262
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5Ohm bei 220mA, 10V
1,5V bei 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
834’961
Vorrätig
1 : Fr. 0.18000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.02977
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2Ohm bei 100mA, 2,5V
1V bei 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
TL431BFDT-QR
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
474’037
Vorrätig
1 : Fr. 0.18000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.02860
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
180mA (Ta)
10V
7,5Ohm bei 100mA, 10V
2,1V bei 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
390’129
Vorrätig
990’000
Fabrik
1 : Fr. 0.18000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.03593
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
350mA (Ta)
2,5V, 10V
2,8Ohm bei 250mA, 10V
1,5V bei 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
294’468
Vorrätig
1 : Fr. 0.18000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.03562
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5Ohm bei 240mA, 10V
2,5V bei 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
59’081
Vorrätig
1 : Fr. 0.18000
Gurtabschnitt (CT)
10’000 : Fr. 0.02982
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5Ohm bei 100mA, 10V
2,1V bei 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
CST3
SC-101, SOT-883
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
393’840
Vorrätig
56’250’000
Fabrik
1 : Fr. 0.18000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.03670
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm bei 100mA, 5V
2V bei 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
273’902
Vorrätig
1 : Fr. 0.18000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.03782
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm bei 500mA, 10V
2,4V bei 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
88’250
Vorrätig
1 : Fr. 0.18000
Gurtabschnitt (CT)
10’000 : Fr. 0.03066
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
350mA (Ta)
5V, 10V
2,8Ohm bei 200mA, 10V
2,1V bei 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 3,1 W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-883
SC-101, SOT-883
TL431BFDT-QR
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
748’737
Vorrätig
1 : Fr. 0.19000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.03846
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm bei 300mA, 10V
1,5V bei 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C bis 150°C (TA)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
449’916
Vorrätig
1 : Fr. 0.19000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.03879
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2,2Ohm bei 200mA, 4,5V
800mV bei 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
UMT3F
SC-85
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
257’088
Vorrätig
1 : Fr. 0.19000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.03947
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
115mA (Tc)
5V, 10V
7,5Ohm bei 500mA, 10V
2,5V bei 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
183’467
Vorrätig
1 : Fr. 0.19000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.03824
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
3Ohm bei 500mA, 10V
2,5V bei 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
77’078
Vorrätig
1 : Fr. 0.19000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.03916
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
170mA (Ta)
10V
6Ohm bei 170mA, 10V
2V bei 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
720’517
Vorrätig
1 : Fr. 0.20000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.04083
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
350mA (Ta)
10V
1,6Ohm bei 500mA, 10V
2,1V bei 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW (Ta)
150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
15’958
Vorrätig
1 : Fr. 0.20000
Gurtabschnitt (CT)
8’000 : Fr. 0.03487
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
100mA (Ta)
2,5V, 4V
3,6Ohm bei 10mA, 4V
1,5V bei 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
VESM
SOT-723
TL431BFDT-QR
NX3008PBK,215
MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
5’081
Vorrätig
1 : Fr. 0.20000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.03832
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
230mA (Ta)
2,5V, 4,5V
4,1Ohm bei 200mA, 4,5V
1,1V bei 250µA
0.72 nC @ 4.5 V
±8V
46 pF @ 15 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
817’747
Vorrätig
1 : Fr. 0.21000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.04240
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
320mA (Ta)
10V
1,6Ohm bei 300mA, 10V
1,5V bei 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW (Ta), 830mW (Tc)
-55°C bis 150°C (TA)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
634’556
Vorrätig
1 : Fr. 0.21000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.03392
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
2Ohm bei 500mA, 10V
2,5V bei 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
500’572
Vorrätig
1 : Fr. 0.21000
Gurtabschnitt (CT)
3’000 : Fr. 0.04323
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5Ohm bei 220mA, 10V
1,5V bei 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-323
SC-70, SOT-323
Angezeigt werden
von 37’787

Einzelne FETs, MOSFETs

Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.