150 V und 200 V eGaN-FETs EPC2033/EPC2034

Die EPC2033 und EPC2034 erweitern die Familie der Komponenten mit "entspanntem Raster" von EPC, die ein 1 mm Kugelraster bieten. Das breitere Raster ermöglicht die Platzierung zusätzlicher und größerer Durchkontaktierungen unter der Komponente und ermöglicht damit, trotz des extrem kleinen 2,6 mm x 4,6 mm Platzbedarfs, eine höhere Stromtragfähigkeit.Sie verfügen über eine maximale Betriebstemperatur von 150°C und eine gepulste Stromtragfähigkeit von 200 A (150 V EPC2034) und 140 A (EPC2033).

Im Vergleich zu einem modernen Silizium-Leistungs-MOSFET mit ähnlichem Betriebswiderstand sind diese Produkte viel kleiner und haben ein überragendes Schaltverhalten. Sie sind ideal für Anwendungen wie Hochfrequenz-DC/DC-Wandler, Synchrongleichrichtung in DC/DC- und AC/DC-Wandlern, Motorantrieben, LED-Beleuchtung und industrielle Automation.

Um den Evaluierungsprozess dieser Hochleistungs-eGaN-FETs zu vereinfachen steht die Entwicklungsplatine EPC9047 zur Verfügung, um eine schaltungsinterne Leistungsbewertung des EPC2033 zu unterstützen.Diese Platine enthält alle kritischen Komponenten, die leicht an jeden vorhandenen Konverter angeschlossen werden können.

Die EPC9047 bedient sich einer Halbbrücken-Topologie mit den Abmessungen 2 Zoll x 1,5 Zoll. Sie enthält zwei eGaN-FETs EPC2033 mit dem Texas Instruments Gatetreiber UCC27611, sowie Versorgung und Bypasskondensatoren. Die Platine enthält alle kritischen Komponenten und ein Layout für optimale Schaltleistung sowie verschiedene Sondenpunkte für eine einfache Wellenformmessung und Effizienzberechnung.