eGaN®-ICs EPC2112/EPC2115

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Produktempfehlungen > eGaN®-ICs EPC2112/EPC2115

            eGaN®-ICs EPC2112/EPC2115
  
                    Die eGaN-ICs EPC2112/EPC2115 von EPC sind speziell für HF-DC/DC-Wandler und die resonante drahtlose Stromversorgung ausgelegt

EPCs monolithische, integrierte Lösungen auf GaN-Basis bieten Entwicklern von Energiesystemen die Möglichkeit, die Effizienz zu steigern und gleichzeitig den Platzbedarf gering zu halten.

Der EPC2112 ist ein 200 V, 40 mΩ eGaN-FET mit integriertem Gate-Treiber.

Der EPC2115 ist ein integrierter Schaltkreis mit zwei 150 V, 70 mΩ eGaN-FETs mit Gate-Treiber.

Merkmale
Hoher Frequenzbereich Monolithische Integration eliminiert Verbindungsinduktivitäten für höhere Effizienz bei höherer Frequenz Für den Betrieb von bis zu 7 MHz		Kleiner Footprint Extrem kleiner (2,9 mm x 1,1 mm) oberflächenmontierter passivierter BGA-Chip mit niedriger Induktivität
Anwendungen
Hochfrequenz-DC/DC-Wandler		Resonante drahtlose Stromversorgung

Veröffentlicht: 2018-05-04

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