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GaN-FETs im PQFN-Gehäuse
Die GaN-FETs von EPC bieten eine außergewöhnliche Leistung bei kompakten Abmessungen und sind ideal für die Leistungswandlung mit hoher Dichte
Die Galliumnitrid-(GaN)-FETs im PQFN-Gehäuse von EPC bieten eine außergewöhnliche Leistung bei kompakten Abmessungen und sind ideal für die Leistungswandlung mit hoher Dichte. Diese Komponenten bieten einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand, eine geringe Gate-Ladung und minimale Schaltverluste, wodurch sie eine höhere Effizienz und schnellere Schaltgeschwindigkeiten als herkömmliche Silizium-MOSFETs ermöglichen.
Mit Nennspannungen von bis zu 200 V und Impulsstromfähigkeiten von teilweise über 400 A eignen sich diese GaN-FETs perfekt für anspruchsvolle Anwendungen wie Motorantriebe, Robotik und Hochleistungsrechner.
Merkmale/Funktionen
- Kostengünstig
- Höhere Leistung als ein MOSFET
- Schneller
- Kleiner
- Höhere Stromstärke
- Benutzerfreundlichkeit
- Kompatibilität der Bauform maximiert die Designflexibilität
- Ausgezeichnete thermische Eigenschaften
- Freiliegende Oberseite
- Extrem niedriger Wärmewiderstand
Anwendungen/Zielmärkte
- AC/DC-Ladegeräte
- Hochfrequenz-DC/DC-Wandler
- Motorantriebe
- Kontinuierliche Leistungsmaximierung (MPPT) bei Solarmodulen
- Klasse-D-Audio
GaN FETs in PQFN Packages
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | FET-Typ | Technologie | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | EPC2367 | TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PI | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 100 V | 0 - Sofort | $5.51 | Details anzeigen |
|  | EPC2302 | TRANS GAN 100V DIE .0018OHM | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 100 V | 80506 - Sofort | $6.42 | Details anzeigen |
|  | EPC2304 | TRANS GAN 200V .005OHM 7QFN | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 200 V | 0 - Sofort | $6.76 | Details anzeigen |
|  | EPC2305 | TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFN | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 150 V | 18706 - Sofort | $6.59 | Details anzeigen |
|  | EPC2306 | TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 100 V | 25771 - Sofort | $4.07 | Details anzeigen |
|  | EPC2307 | TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 200 V | 5849 - Sofort | $4.07 | Details anzeigen |
|  | EPC2308 | TRANS GAN 150V .006OHM 7QFN | N-Kanal | GaNFET (Galliumnitrid) | 150 V | 9044 - Sofort | $4.18 | Details anzeigen |
Evaluation Boards
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|  | EPC90140 | EVAL BOARD FOR EPC2304 | 67 - Sofort | $158.14 | Details anzeigen |
|  | EPC90143 | EVAL BOARD FOR EPC2305 | 24 - Sofort | $158.14 | Details anzeigen |
|  | EPC90145 | EVAL BOARD FOR EPC2306 | 5 - Sofort | $160.00 | Details anzeigen |
|  | EPC90150 | EVAL BOARD FOR EPC2307 | 41 - Sofort | $158.14 | Details anzeigen |
|  | EPC90148 | EVAL BOARD FOR EPC2308 | 32 - Sofort | $158.14 | Details anzeigen |
|  | EPC90133 | EVAL BOARD FOR EPC2302 | 9 - Sofort | $158.14 | Details anzeigen |
|  | EPC90164 | BD DEMO 1/2 BRIDGE 100V EPC2367 | 17 - Sofort | $158.14 | Details anzeigen |
Veröffentlicht: 2025-04-10
Schweiz