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N-Kanal-SuperFET®-II-MOSFET
Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET für 600 V, 20,2 A, 199 mΩ von Fairchild
Der SuperFET®-II-MOSFET ist die erste Generation der Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET-Familie von Fairchild Semiconductor®, die eine Ladungsausgleich-Technologie für herausragend niedrigen Betriebswiderstand und niedrigere Gate-Ladungsleistung verwendet. Diese fortschrittliche Technologie wurde speziell zur Minimierung von Leitungsverlusten ausgerichtet, bietet ein überlegenes Schaltverhalten und widersteht extremen dV/dt-Raten und Avalanche-Energien. Der SuperFET-II-MOSFET ist geeignet für eine Vielzahl von AC/DC-Leistungsumwandlungen für System-Miniaturisierung und höheren Wirkungsgrad.
SuperFET
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | FCPF190N60-F152 | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F | 600 V | 20,2 A (Tc) | 0 - Sofort | See Page for Pricing | Details anzeigen |
Veröffentlicht: 2013-09-05
