650-V-Halbbrücken-MOSFET und IGBT-Gate-Treiber 2ED2182S06F
Der 650-V-/2,5-A-Hochstrom-Halbbrücken-Gate-Treiber-IC von Infineon bietet eine integrierte Bootstrap-Diode in einem DSO-8-Gehäuse
Der leistungsstarke 650-V-Halbbrücken-MOSFET und IGBT-Gate-Treiber von Infineon verfügt über ein DSO-8-Gehäuse und einen typischen Sink-und-Source-Strom von 2,5 A. Der MOSFET basiert auf der SOI-Technologie von Infineon und verfügt über eine ausgezeichnete Robustheit und Störfestigkeit gegen negative Transientenspannungen am VS-Pin. Es sind keine parasitären Thyristorstrukturen in der Komponente vorhanden, d.h. kein parasitäres Latch-up bei irgendeinem Temperatur- oder Spannungszustand. Die DSO-14-Gehäuseversion ist auch erhältlich unter der Teilenummer 2ED21824S06J.
- Betriebsspannungen (VS-Knoten) bis zu 650 V
- Negative transiente VS-Immunität von 100 V
- Integrierte extrem schnelle, niederohmige Bootstrap-Diode senkt die Stücklistenkosten
- Potenzialfreier Kanal ausgelegt für Bootstrap-Betrieb
- Integrierter Durchschlagschutz mit eingebauter Totzeit (400 ns)
- Maximale Versorgungsspannung von 25 V
- HIN- und LIN-Eingangslogik
- Unabhängige Unterspannungsabschaltung (UVLO) für beide Kanäle
- 200 ns Laufzeitverzögerung
- Logik betriebsfähig bis zu -11 V am VS-Pin
- Negative Spannungstoleranz an den Eingängen von -5 V
- Der potentialfreie Kanal kann zur Ansteuerung eines N-Kanal-MOSFET, SiC-MOSFET oder IGBT in der High-Side-Konfiguration verwendet werden
- Schnellladung von Elektrofahrzeugen
- Haushaltsgeräte
- Motorsteuerung und -antrieb
- Energieverwaltung (Schaltnetzteile) - Referenzdesign
- Elektrowerkzeuge
2ED2182S06F 650 V Half-Bridge MOSFET and IGBT Gate Driver
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Anzahl der Treiber | Gattertyp | Spannung - Versorgung | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
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![]() | ![]() | 2ED2182S06FXUMA1 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC | 1 | IGBT, MOSFET (N-Kanal) | 10V bis 20V | 169 - Sofort | $1.46 | Details anzeigen |



