Infineon Technologies

GaN-Leistungstransistoren

Hocheffiziente, selbstsperrende CoolGaN™-Transistoren von Infineon ermöglichen Leistungsdichte auf neuem Niveau

Abbildung: GaN-Leistungstransistoren von Infineon Die CoolGaN-Transistoren von Infineon zeichnen sich durch schnelles Ein- und Ausschalten, minimale Schaltverluste und eine Vielzahl von Gehäuseoptionen aus. CoolGaN erfüllt strenge Kriterien, übertrifft die Branchenstandards und verbessert die Gesamtleistung des Systems erheblich, während die Systemkosten minimiert und die Benutzerfreundlichkeit erhöht werden.

Merkmale/Funktionen
  • E-Modus-Transistoren mit 60 V bis 120 V
  • Optionen für beidseitig und unterseitig gekühlte Gehäuse
  • Keine Sperrladung
  • Rückleitfähigkeit
  • Geringe Gate-Ladung, geringe Ausgangsladung
  • Über die JEDEC-Standards hinaus qualifiziert
Vorteile
  • Außergewöhnliche Leistungsdichte
  • Höchste Effizienz
  • Verbessertes Wärmemanagement
  • Exzellente Zuverlässigkeit
  • Gesenkte Materialkosten
  • Schnelle Markteinführung dank einsatzbereiter Referenzboards
Anwendungen/Zielmärkte
  • Audioverstärker
  • Batteriebetriebene Geräte
  • Drohnen
  • Photovoltaik
  • Robotik
  • Schaltnetzteile
  • Telekommunikationsinfrastruktur
  • USB-C®-Adapter und -Ladegeräte
Ressourcen

GaN Power Transistors

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
MV GAN DISCRETESIGC033S101XTMA1MV GAN DISCRETES4100 - Sofort$3.44Details anzeigen
MV GAN DISCRETESIGC033S10S1XTMA1MV GAN DISCRETES1787 - Sofort$3.44Details anzeigen
MV GAN DISCRETESIGB110S101XTMA1MV GAN DISCRETES4208 - Sofort$1.80Details anzeigen
MV GAN DISCRETESIGB110S10S1XTMA1MV GAN DISCRETES0 - Sofort$1.80Details anzeigen
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Veröffentlicht: 2025-07-22

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Datum der Veröffentlichung: 2025-06-25