DDR2 SDRAM für Industrie und intensive Testanwendungen

Der NDB16P ist ein synchroner Highspeed-CMOS-DDR2-DRAM, der mit dem proprietären erweiterten Testablauf von Insignis getestet wurde, um Frühausfälle zu verhindern und erstklassige Qualität und langfristige Zuverlässigkeit für den industriellen Einsatz sicherzustellen. Diese Komponenten wurden so konzipiert, dass sie den DDR2-DRAM-Schlüsselmerkmalen, wie etwa geposteten CAS# mit additiver Latenz, Schreiblatenz = Leselatenz -1 und chipeigener Terminierung (ODT) entsprechen.

Alle Steuer- und Adresseingänge werden mit einem Paar extern versorgter Differenztaktgeber synchronisiert. Die Eingänge werden am Kreuzungspunkt von Differenztaktgebern zwischengespeichert (CK steigend und CK# fallend). Alle I/Os werden mit einem Paar bidirektionaler Strobes (DQS und DQS#) in einer quellensynchronen Weise synchronisiert.

Wenn die Speicherbänke in einer verschachtelten Weise betrieben werden, kann der Betrieb mit wahlfreiem Zugriff mit einer höheren Rate ausgeführt werden, als dies mit Standard-DRAMs möglich ist. Es kann eine automatische Vorladefunktion aktiviert werden, um ein Zeilenvorladen mit Eigentiming zu erzielen, das am Ende eines Burst-Zugriffs initiiert wird. Abhängig von der Burst-Länge, der CAS-Latenz und der Geschwindigkeitsstufe der Komponente ist eine sequenzielle und lückenlose Datenrate möglich.