Insignis Technology Corporation

Speziell getesteter und industrieller DDR3/3L-SDRAM

DDR3/3L-SDRAM-Bausteine ​​von Insignis gewährleisten aufgrund eines proprietären erweiterten Testablaufes den Betrieb bei erhöhten Sperrschichttemperaturen

Abbildung: Speziell getesteter und industrieller DDR3/3L-SDRAM von Insignis Die speziell getesteten und industriellen Speicherkomponenten sind Hochgeschwindigkeits-Synchron-DDR3/3L-DRAM, die mit dem proprietären erweiterten Testablauf von Insignis geprüft wurden, um Frühausfälle zu vermeiden sowie eine erstklassige Qualität und langfristige Zuverlässigkeit für den industriellen Einsatz sicherzustellen. Der Chip ist so konzipiert, dass er allen DDR3L-DRAM-Schlüsselmerkmalen entspricht, einschließlich der vollständigen Abwärtskompatibilität mit DDR3, wobei die erforderliche Spannung bei dem 1-GB-DDR3-Teil und dem 1-GB-DDR3L-Teil die einzige Ausnahme darstellt. Alle Steuer- und Adresseingänge werden mit einem Paar extern bereitgestellter differenzieller Taktsignale synchronisiert. Die Eingänge werden am Kreuzungspunkt von differenziellen Taktgebern (CK steigt und CK# fällt) gespeichert. Alle E/A werden quellensynchron mit dem differenziellen DQS-Paar synchronisiert.

Alle 2-GB-DDR3-Teile werden durch 2-GB-DDR3L abgedeckt. Die 2-GB-DDR3- und -DDR3L-Teile werden mit einer einzelnen Stromversorgung von +1,35 V bis 0,067 V/+ 0,1 V betrieben. Die 1-GB-DDR3-Teile erfordern eine Spannung von 1,5 V, während 1-GB-DDR3L-Teile eine Spannung von 1,35 V benötigen. Alle Teile sind in BGA-Gehäusen erhältlich.

Merkmale
  • Verbesserte Qualität durch proprietären erweiterten Testablauf von Insignis, der Betrieb bei erhöhten Sperrschichttemperaturen garantiert
  • JEDEC-konformes Direktersatzteil
  • AECQ-100-Konformität verfügbar
  • Betriebstemperaturbereich
    • Erweiterter Test ET): 0 °C bis +85 °C
    • Industriell (IT): -40 °C bis +95 °C (bis +105 °C verfügbar)
  • Erhältlich mit Kapazitäten von 1 GB und 2 GB
  • Betriebstemperaturbereich
  • Unterstützung von JEDEC-Takt-Jitter-Spezifikation
  • ZQ-Kalibrierung
  • 8n-Bit-Prefetch-Architektur
  • RoHS-konform
  • Vorladung und aktive Abschaltung
  • Programmierbare Burstlängen: 4,8
  • Programmierbare Modus- und erweiterte Modusregister
  • Impedanzkontrolle Ausgangstreiber
  • Automatische Aktualisierung und Selbstaktualisierung
  • Vorladung und aktive Abschaltung
  • Blei- und halogenfreie Gehäuse
  • Write-Leveling
Anwendungen
  • Industrie
    • Fabrikautomatisierung
    • Spielautomaten
    • Eingebettete Steuerplatinen
    • Industrie-PC
    • Medizintechnik
    • Drucktechnik
  • Kommunikation/Überwachung
    • Fern-/Feldüberwachungsgeräte
    • Zugangskontrolle und Sicherheit
    • Kameras
    • Zähler
  • Automobiltechnik/Transportwesen
    • Luftfahrttechnik
    • Schienenverkehr
    • Schifffahrt
    • Fahrerinformationssysteme
    • Infotainment
  • Telekommunikation/Netzwerktechnik
    • Mobilfunkantennen
    • Router und Switches
    • Netzwerkspeicher

Industrial and Extended Test DDR3/3L SDRAM

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungBetriebstemperaturVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGANDL16PFJ-8KET TRIC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA0°C bis 95°C (TC)0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGANDL16PFJ-8KIT TRIC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA-40°C bis 95°C (TC)0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
Veröffentlicht: 2018-10-09

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