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HEXFET®-MOSFETs im TSOP-6-Gehäuse
Die HEXFET®-MOSFETs von Infineon im TSOP-6-Gehäuse bieten kostengünstige, flexible Lösungen für Anwendungen mit niedriger Leistungsaufnahme
Familie von Niederspannungs-HEXFET-MOSFETs von Infineon Technologies in einem TSOP-6-Gehäuse für Anwendungen mit geringer Leistungaufnahme. Hierzu zählen Lastschalter, Ladungs- und Entladungsschalter für den Batterieschutz sowie Schalter für Wechselrichter.
Die Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch einen sehr niedrigen Durchlasswiderstand (RDS(on)) und deutlich reduzierte Leitungsverluste aus. Die Komponenten sind als 20 V und 30 V Komponenten in N- und P-Kanal-Konfigurationen mit einer maximalen Gate-Ansteuerung von 12 Vgs bis 20 Vgs erhältlich.
Alle Geräte sind MSL1- und RoHS-konform und enthalten damit weder Blei, Bromid oder Halogen.
Merkmale
- Industrie-Standard, TSOP-6-Gehäuse
- RoHS-konform; enthält kein Blei, Bromid oder Halogen
- MSL1-Verbraucherqualifikation
Anwendungen
- Wechselrichter-MOSFETs für akkubetriebene DC-Motoren
- System- / Lastschalter
Veröffentlicht: 2013-01-29
