D2™-Leistungs-MOSFETs vom Verarmungstyp

Die D2™-MOSFETs vom Verarmungstyp von IXYS/Littelfuse verfügen über einzigartige Eigenschaften, die nicht durch ihre häufig verwendeten Gegenstücke vom Anreicherungstyp repliziert werden können. Im Gegensatz zu den regulären N-Kanal-Anreicherungstypen erfordern die MOSFETs vom Verarmungstyp keine Gate-Vorspannung zum Einschalten und eine negative Gate-Vorspannung zum Abschalten, weisen aber sonst ähnliche Eigenschaften auf. Der Betriebsmodus "Normalerweise Eingeschaltet" dieser Komponenten ermöglicht in Kombination mit einem verbesserten linearen Betrieb eine ideale Bauteilauswahl für Stromquellen, Stromregler, Halbleiterrelais, Pegelverschiebung, aktive Lasten, Startschaltungen und aktive Netzfilter.

Diese Komponenten sind mit Sperrspannungen von 500 V bis 1000 V, einem geringen Betriebswiderstand (Rdson) von 500 mΩ (max.) und Drain-Nennströmen von bis zu 6 A erhältlich. Sie können bei Verwendung als Leitungsschnittstelle in Offline-Anwendungen eine vereinfachte Steuerung und eine reduzierte Leitungsverlustspannung bieten. Da diese Komponenten zur Inbetriebnahme keine Energie oder Gatespannung benötigen, kann eine hohe Energieeffizienz durch Implementierung der Komponente in normalerweise eingeschaltete Nullspannungs-Lastschaltanwendungen erreicht werden. Mit einem hohen Stromregelungsniveau können diese Komponenten auch als aktive Induktivitäten mit hoher dynamischer Impedanz in Filteranwendungen zur Begrenzung von Spannungs- sowie Stromrauschen und -spitzen fungieren. Darüber hinaus können diese Komponenten aktiven Schaltkreisschutz zur Begrenzung der Stoßströme bei Kurzschluss oder Überlastung bieten.