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Hochleistungs-PIN-Diode MADP-011029-14150T für 50 MHz bis 12 GHz

Die MADP-011029-14150T von MACOM verfügt über eine dreipolige LPF-Breitband-Shunt-Struktur

Abbildung: Hochleistungs-PIN-Diode von MacomDie Hochleistungs-PIN-Diode MADP-011029 von MACOM in einem bleifreien, oberflächenmontierbaren, 6-poligen DFN-Kunststoffgehäuse mit 1,5 mm x 1,2 mm bietet den Nieder- und Hochsignalfrequenzbetrieb von 50 MHz bis 12 GHz. Die höhere Durchbruchspannung und der niedrigere thermische Widerstand der PIN-Fotodiode bieten eine Spitzenbelastbarkeit von mehr als 100 W. Diese Komponente ist ideal für den Einsatz in Schaltern mit höherer Störleistung, Phasenschiebern, Dämpfungsgliedern und Begrenzer-Mikrowellenschaltungen über einen weiten Frequenzbereich geeignet. Diese Anwendungen erfordern leistungsstärkere, oberflächenmontierbare Diodenbaugruppen.

Merkmale Funktionsblockdiagramm
  • Dreipolige LPF-Breitband-Shunt-Struktur
  • Weiter Frequenzbereich von 50 MHz bis 12 GHz
  • Spitzenbelastbarkeit von 100 W
  • RoHS-konform und bis 260 °C Reflow-kompatibel
  • Shunt-Isolierung > 25 dB
  • Shunt-Eingangsverlust < 0,1 dB
  • Thermischer Widerstand < 20 °C/W
  • Bleifreies, 6-poliges TDFN-Gehäuse mit 1,5 mm x 1,2 mm
 Abbildung: Hochleistungs-PIN-Diode von Macom

High-Power PIN Diode

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungStrom - Max.Verfügbare MengePreisDetails anzeigen
RF DIODE PIN 400V 7.5W 6TDFNMADP-011029-14150TRF DIODE PIN 400V 7.5W 6TDFN250 mA4523 - Sofort$3.33Details anzeigen
Veröffentlicht: 2017-03-31

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